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IXFK20N120

更新時間:2025-05-16 22:24:08

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IXFK20N120外觀圖

IXFK20N120

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXFK20N120 概述

IXFK20N120是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款MOSFET專為高壓應用設(shè)計，具有1200V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。該器件采用TO-264封裝，適用于需要高可靠性和穩(wěn)定性的工業(yè)級應用。典型應用場景包括開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、焊接設(shè)備以及各種電力轉(zhuǎn)換器中。在這些應用中，IXFK20N120能夠有效管理電能傳輸，提供快速的開關(guān)速度和較低的開關(guān)損耗。使用時應注意適當?shù)纳嵩O(shè)計以確保最佳性能，推薦在PCB布局時考慮足夠的銅面積幫助散熱，并且在柵極驅(qū)動電路中加入適當?shù)木彌_

IXFK20N120 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
25
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
750 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7400pF @ 25V
功率 - 最大
780W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商設(shè)備封裝
TO-264AA
包裝
管件

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