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IXFH15N80Q

更新時間:2025-05-16 08:53:29

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IXFH15N80Q外觀圖

IXFH15N80Q

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXFH15N80Q 概述

IXFH15N80Q是由IXYS公司生產(chǎn)的高壓MOSFET。該器件具有800V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少功率損耗，提高效率，適用于高頻開關電源應用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、交流電機驅(qū)動、直流-直流轉(zhuǎn)換器和逆變器等電力電子系統(tǒng)。由于其高耐壓能力和快速開關性能，特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確控制的場合。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極電阻來優(yōu)化開關速度，并確保良好的散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。對于高頻應用，需注意PCB布局以減小寄生電感和噪聲干擾。此外，驅(qū)動電路的設計應保證足夠的柵極驅(qū)動電壓以充分開啟MOSFET。

IXFH15N80Q 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4300pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IR2113S

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