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IRLD120

更新時間:2025-06-21 10:16:56

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
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海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

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原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

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IRLD120 概述

IRLD120是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。這款器件采用D2PAK封裝，適合表面貼裝應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在各種電源管理設(shè)計中表現(xiàn)出色。典型應(yīng)用場景包括直流電機驅(qū)動、負載開關(guān)以及電源轉(zhuǎn)換電路。由于具備快速開關(guān)特性和較低的柵極電荷，它有助于提高效率并減少功耗。在實際使用時，建議關(guān)注最大漏源電壓（VDSS）為-60V，確保不超過該額定值以避免損壞器件。對于PCB布局，應(yīng)盡量減小源極和柵極走線長度，以減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。在電機驅(qū)動電路中，可以與PWM控制器配合使用，實現(xiàn)速度調(diào)節(jié)功能。

IRLD120 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 780mA，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
490pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRLD120

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IRLD024PBF
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