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IRLD110PBF

更新時間:2025-05-22 03:41:27

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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一級供應商十三年品牌專營

海芯未來半導體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市芯齊壹科技有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市科翼源電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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IRLD110PBF 概述

IRLD110PBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效電源管理應用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達35A，非常適合于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種需要高效率和緊湊設計的功率控制電路中。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振蕩，并確保良好的散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。對于電機驅(qū)動應用，需注意防止過壓和過流對MOSFET造成損害。

IRLD110PBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRLD110PBF
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫歐 @ 600mA，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.1nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
250pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRLD110PBF

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IRLD014PBF
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IRLD024PBF
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IRLML6402

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