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IRFB31N20DPBF

更新時間:2025-06-21 09:09:11

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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TO220/21+
全新原裝，咨詢電話0755-88910635

深圳市魯芯泰電子科技有限公司
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一級供應商十三年品牌專營

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原裝現(xiàn)貨長期供應

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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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70000
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原裝現(xiàn)貨

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原裝正品

中研正芯（深圳）電子科技有限
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中研正芯，只做原裝

深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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原裝庫存，提供優(yōu)質(zhì)服務

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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免費樣品
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JSMSEMI/杰盛微
TO2203/23+
一級代理商可提供技術方案支持

深圳市科鑫美電子有限公司
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TO220/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

深圳市特立芯科技有限公司
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5000
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TO220AB/26+
全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務

深圳市得捷芯城科技有限公司
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11750
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NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市安富世紀電子有限公司
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105000
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TO220/23+
原廠代理終端免費提供樣品

深圳市華斯頓科技有限公司
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INFINEON/英飛凌
TO220/25+23+
原裝/支持實單/原盒原標原盤/原管

深圳市捷立輝科技有限公司
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N/A/24+
只做原裝合作一次終身受益

深圳市譽輝天成電子有限公司
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5000
INFINEON/英飛凌
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優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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5000
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TO220AB/23+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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69000
-
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一級代理保證

深圳市顥天電子有限公司
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3180
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23+/TO220AB
特價原裝現(xiàn)貨，一站配齊

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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8700
INFINEON/英飛凌
-/23+
原裝現(xiàn)貨

深圳市港博科電子有限公司
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10000
IR(國際整流器)
-/25+
提供一站式配單服務

海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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16500
Infineon
50/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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13500
INTERNATIONALRECTIFIER
N/A/1808+
原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市億泰科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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9400
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原裝現(xiàn)貨

深圳市華美銳科技有限公司
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3000
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TO220AB/1035+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市科翼源電子有限公司
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40256
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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70000
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TO220AB/2024+
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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6500
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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68900
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TO220/-
一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市博洋芯微電子有限公司
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7000
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TO220/23+
只做原裝現(xiàn)貨

瀚佳科技（深圳）有限公司
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Infineon(英飛凌)
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IRFB31N20DPBF外觀圖

IRFB31N20DPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFB31N20DPBF 概述

IRFB31N20DPBF是一款由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高效率和高速開關應用。其最大漏源電壓（Vds）為200V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時可達31A。該MOSFET具有低導通電阻（Rds(on)），有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、直流-直流轉換器以及各類工業(yè)電源管理設備。在實際應用中，需注意柵極驅(qū)動電路的設計以確?？焖偾覝蚀_的開關操作。此外，散熱設計也至關重要，建議使用適當?shù)纳崞鱽肀３諱OSFET在安全工作溫度范圍內(nèi)運行。對于高頻開關應用，還需關注PCB布局，盡量減小寄生電感和電容的影響，以優(yōu)化整體性能。

IRFB31N20DPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
31A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
82 毫歐 @ 18A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
107nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2370pF @ 25V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB31N20DPBF

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IRFB13N50APBF
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