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IRFB3207ZPBF

更新時間:2025-05-21 17:50:36

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詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市金嘉銳電子有限公司
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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IRFB3207ZPBF外觀圖

IRFB3207ZPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFB3207ZPBF 概述

IRFB3207ZPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力。其最大漏源電壓為75V，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等。在電機控制中，它能有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。對于電路設(shè)計者來說，在使用時需注意適當?shù)纳岽胧┮源_保器件穩(wěn)定工作。同時，在PCB布局上應盡量縮短源極和柵極走線長度，減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。建議在柵極串聯(lián)10歐姆左右的電阻來抑制振蕩，并使用快速恢復二極管進行續(xù)流保護。

IRFB3207ZPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.1 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
170nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6920pF @ 50V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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