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IRF830PBF

更新時間:2025-06-13 15:06:34

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市英特翎科技有限公司
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深圳市言信微科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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公司現(xiàn)貨只做原裝

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深圳市宏世佳電子科技有限公司
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全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可免費(fèi)供樣，支持BOM配單

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深圳市米數(shù)科技有限公司
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上海祥增電子科技有限公司
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深圳市特立芯科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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IRF830PBF 概述

IRF830PBF是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon Technologies收購）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。它采用TO-220封裝，具有較高的耐壓能力，最大漏源電壓Vds可達(dá)500V，適合在高電壓應(yīng)用中使用。其連續(xù)漏極電流Id為1.9A，在脈沖條件下可達(dá)到7A。該元件常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等需要高效電能轉(zhuǎn)換的場合。在具體應(yīng)用時，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET充分導(dǎo)通，一般推薦使用10到15V的驅(qū)動電壓。設(shè)計電路時應(yīng)考慮散熱問題，可通過加裝散熱片來提高器件的工作穩(wěn)定性。在驅(qū)動感性負(fù)載如電機(jī)時，還需并聯(lián)適當(dāng)?shù)睦m(xù)流二極管以保護(hù)MOSFET不受反向電動勢沖擊。

IRF830PBF 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 2.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
610pF @ 25V
功率 - 最大
74W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF830PBF

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