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IRF6633

更新時間:2025-05-21 02:02:02

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市科芯源微電子有限公司
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IRF6633 概述

IRF6633是由International Rectifier（已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的HEXFET工藝制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓Vds為40V，連續(xù)漏極電流Id可達150A，適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和其他高效電力電子應用。在電源管理領(lǐng)域，IRF6633常用于同步整流電路，顯著降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，它也適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中，作為主開關(guān)管使用。由于其柵極電荷較低，可實現(xiàn)快速開關(guān)速度，有助于減小驅(qū)動電路的復雜度。設(shè)計時應注意保持適當?shù)纳岽胧?，并確保柵極驅(qū)動信號足夠強以保證MOSFET完全開啟。

IRF6633 規(guī)格參數(shù)

典型關(guān)斷延遲時間
12 ns
典型接通延遲時間
9.7 ns
典型柵極電荷@Vgs
11 nC V @ 4.5
典型輸入電容值@Vds
1250 pF V @ 10
安裝類型
表面貼裝
寬度
5.05mm
封裝類型
DirectFET MP
尺寸
5.45 x 5.05 x 0.6mm
引腳數(shù)目
7
最低工作溫度
-40 °C
最大功率耗散
2300 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
20 V
最大漏源電阻值
0.006
最大連續(xù)漏極電流
16 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
雙源、四漏極、單
長度
5.45mm
高度
0.6mm

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IRF6633TR1
IRF6633TR1PBF
IRF6633TRPBF
IRF60N06
IRFR024N

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