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IRF6619TRPBF

更新時間:2025-05-22 06:05:47

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廠商
封裝/批號
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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Infineon Technologies
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原裝現(xiàn)貨一站式采購

深圳市佳達源電子有限公司
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-

深圳市宏創(chuàng)興泰電子有限公司
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10000
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-/25+
有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務

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IRF6619TRPBF外觀圖

IRF6619TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

封裝:DirectFET? 等容 MX

IRF6619TRPBF 概述

IRF6619TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用PowerPAK SO-8封裝，適用于需要高效功率轉換的應用場景。其低導通電阻和高電流處理能力使其在電源管理、直流-直流轉換器以及負載開關等應用中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括筆記本電腦、服務器和通信設備的電源管理電路。它也可用于電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，能有效提高系統(tǒng)效率并減少功耗。在實際應用中，應注意合理設計PCB布局以優(yōu)化散熱效果，并確保柵極驅(qū)動電路穩(wěn)定可靠，防止MOSFET誤開啟或關閉。建議在柵極串聯(lián)適當阻值的電阻來抑制振蕩現(xiàn)象，同時考慮添加齊納二極管等保護元件以增強可靠性。

IRF6619TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.2 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.45V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
57nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5040pF @ 10V
功率 - 最大
2.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DirectFET? 等容 MX
供應商設備封裝
DIRECTFET? MX
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF6619TRPBFTR

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