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IRF640NSTRLPBF

更新時間:2025-05-15 20:40:36

供應商
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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市坤融電子科技有限公司
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深圳聞舟科技有限公司
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深圳市南烽電子有限公司
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深圳市良普科電子有限公司
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深圳市百諾芯科技有限公司
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深圳硅原半導體有限公司
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550000
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深圳市科芯源微電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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海芯未來半導體電子（深圳）有
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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IRF640NSTRLPBF外觀圖

IRF640NSTRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF640NSTRLPBF 概述

IRF640NSTRLPBF是由International Rectifier（已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏極-源極電壓為100V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達18A。典型應用場景包括電源管理、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、DC-DC轉換器以及高頻逆變器等場合。在實際使用中應注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作溫度，避免過熱導致性能下降或損壞。對于驅動電路的設計，推薦采用柵極電阻來控制開通與關斷速度，減少EMI干擾。同時需注意柵極電壓應保持在規(guī)定范圍內(nèi)，通常不超過20V，以防擊穿柵氧層造成器件失效。

IRF640NSTRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
67nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1160pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF640NSTRLPBF-NDIRF640NSTRLPBFTR

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IRF60N06
IRF610
IRF6100
IRF6100PBF
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IRF610B
IR2184S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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