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IRF630NSTRR

更新時間:2025-07-08 23:59:25

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市華美銳科技有限公司
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TO263/05+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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TO263/23+
柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市特立芯科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務(wù)

深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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TO263/23+
原裝庫存，提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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TO263/2026+
行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝全新現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市科翼源電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市硅諾電子科技有限公司
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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TO263/-
一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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INFINEON
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可免費供樣,支持BOM配單

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市斌騰達科技有限公司
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只做自己原裝現(xiàn)貨，10年保證

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,提供優(yōu)質(zhì)配單服務(wù)

深圳市得捷芯城科技有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道

深圳市硅宇電子有限公司
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Infineon(英飛凌)
DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單

中研正芯（深圳）電子科技有限
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中研正芯，只做原裝

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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TO263/22+
原裝現(xiàn)貨

深圳市品優(yōu)時代科技有限公司
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IOR
TO2633/20+
進品原裝，現(xiàn)貨庫存可開17%增值票

上海熠富電子科技有限公司
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N/A/2024
上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

深圳市星宇佳科技有限公司
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SOT263/0532+
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)

深圳市粵東誠信電子有限公司
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TO263/24+
只做原裝，BOM表配單

深圳市詮華科技有限公司
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現(xiàn)貨如非原裝假一罰十

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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60000
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D2PAK/2025+
原裝特價提供樣品

昂富（深圳）電子科技有限公司
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TO263/25+
軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

艾潤（香港）電子有限公司
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24500
原廠品牌
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深圳市科鑫美電子有限公司
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市金燦利電子科技有限公司
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TO263/23+
亞太地區(qū)一級代理，二十年BOM配單專家，原裝現(xiàn)貨

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IRF630NSTRR外觀圖

IRF630NSTRR

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF630NSTRR 概述

IRF630NSTRR是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌科技的一部分）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高電壓和中等功率的應(yīng)用場景。其最大漏極-源極電壓為200V，連續(xù)漏極電流可達9.1A（在25°C條件下）。該MOSFET常用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器和其他需要高效開關(guān)特性的電路中。在實際應(yīng)用中，為了確保IRF630NSTRR的穩(wěn)定運行，建議在柵極與源極之間添加一個10kΩ左右的電阻以防止寄生振蕩，并且在設(shè)計PCB布局時應(yīng)盡量縮短引線長度以減少寄生電感。此外，在驅(qū)動電路設(shè)計上，推薦使用具有足夠驅(qū)動能力的柵極驅(qū)動芯片或電路，保證MOSFET能夠快速且完全地開啟和關(guān)閉，從而降低開關(guān)損耗并提高效率。對于散熱管理，可以考慮安裝散熱片或者采用強制風(fēng)冷措施來提高熱穩(wěn)定性。

IRF630NSTRR 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 5.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
575pF @ 25V
功率 - 最大
82W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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IRF630NSTRR
IRF630NSTRRPBF
IRF60N06
IRF610
IRF6100
IRF6100PBF
IRF610A
IRLML6402

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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