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IRF630STRLPBF

更新時間:2025-07-13 05:39:16

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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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原裝認(rèn)證有意請來電或QQ洽談

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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全新原裝進口現(xiàn)貨特價熱賣，長期供應(yīng).

深圳市星宇佳科技有限公司
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IRF630STRLPBF 概述

IRF630STRLPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用D2PAK表面貼裝封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏極-源極電壓為200V，適合在高壓應(yīng)用中使用。典型應(yīng)用場景包括電源管理、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及不間斷電源系統(tǒng)等。在電源管理系統(tǒng)中，可用于實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制；在電機驅(qū)動電路里，可以作為功率開關(guān)來提高效率并減少熱量損耗。此外，在DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，它能夠提供穩(wěn)定可靠的電壓變換功能。使用時應(yīng)注意散熱設(shè)計以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)，并按照推薦的柵極驅(qū)動電壓進行操作以防止損壞。根據(jù)具體應(yīng)用需求合理選擇外圍元件參數(shù)如柵極電阻值等也很重要。

IRF630STRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 5.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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