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IPA65R190CFD

更新時間:2025-05-20 03:45:43

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IPA65R190CFD 概述

IPA65R190CFD是英飛凌公司生產(chǎn)的一款高壓MOSFET，采用CoolMOS P7技術(shù)。它具有低導通電阻和低開關(guān)損耗的特點，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。該MOSFET的漏源電壓為650V，最大連續(xù)漏極電流可達27A。典型應用場景包括PC電源、服務器電源、適配器以及照明電源等需要高能效轉(zhuǎn)換的場合。在實際應用中，由于其快速開關(guān)特性，建議在電路設(shè)計時注意PCB布局以減少寄生電感影響。對于驅(qū)動電路，推薦使用與之匹配的柵極驅(qū)動芯片以確?？煽块_關(guān)。在并聯(lián)使用多個MOSFET時要保證良好的熱均衡設(shè)計，避免局部過熱導致器件損壞。這款MOSFET非常適合追求高效節(jié)能的電源系統(tǒng)設(shè)計。

IPA65R190CFD 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPx65R190CFD
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 7.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 730µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1850pF @ 100V
功率 - 最大
34W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝
PG-TO220 整包
包裝
管件
其它名稱
IPA65R190CFDXKSA1SP000905382

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