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IPA65R190E6

更新時間:2025-05-16 19:30:19

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IPA65R190E6 概述

IPA65R190E6是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的高性能CoolMOS P6系列超結(jié)MOSFET。該型號采用TO-220封裝，適用于高壓開關(guān)電源應用。它具有低導通電阻和低柵極電荷，有助于提高能效并降低開關(guān)損耗。典型應用場景包括服務器電源、太陽能逆變器、PC電源以及適配器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在實際應用中，建議為柵極驅(qū)動電路配置適當?shù)淖枘犭娮枰詢?yōu)化開關(guān)性能并減少振鈴現(xiàn)象。設(shè)計PCB布局時應盡量縮短源極引線長度以降低寄生電感影響。此外，確保散熱設(shè)計合理，可使用散熱片或強制風冷來提高器件的熱穩(wěn)定性。在選擇柵極驅(qū)動電壓時，請參考數(shù)據(jù)手冊中的推薦值以保證最佳工作性能。

IPA65R190E6 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPx65R190E6
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 7.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 730µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
73nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1620pF @ 100V
功率 - 最大
34W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝
PG-TO220 整包
包裝
管件
其它名稱
IPA65R190E6XKSA1SP000863904

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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