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FDD862

更新時間:2025-05-18 16:33:03

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FDD862 概述

FDD862是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時，最大導(dǎo)通電阻僅為30mΩ（典型值22mΩ），這有助于減少導(dǎo)通損耗。它適用于多種應(yīng)用場合，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電源管理電路等。由于其快速的開關(guān)速度和低柵極電荷，可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。在使用時應(yīng)注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟MOSFET，并且在PCB布局上要盡量減小源極到地的引線電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

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廣東微爾科技有限公司

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FDD86250
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