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FDD86250

更新時間:2025-05-19 15:52:12

供應(yīng)商
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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FDD86250外觀圖

FDD86250

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD86250 概述

FDD86250是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓Vds為30V，在室溫下連續(xù)漏極電流Id可達100A。典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、電源管理以及需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)控制系統(tǒng)中。在設(shè)計時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度和EMI性能，推薦在柵極串聯(lián)10Ω左右電阻，并使用適當?shù)纳岽胧┐_保器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。

FDD86250 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2110pF @ 75V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-252，（D-Pak）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD86250-NDFDD86250TR

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廣東微爾科技有限公司

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