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FDD86110

更新時間:2025-05-17 20:47:10

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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Fairchild(飛兆/仙童)
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深圳市科格爾電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市華芯源電子有限公司
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TO252/23+22+
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FDD86110外觀圖

FDD86110

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD86110 概述

FDD86110是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場合。其典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關和電源管理電路中。在筆記本電腦、平板電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)中，F(xiàn)DD86110能夠有效降低功耗并提高效率。使用時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟MOSFET，并且在PCB布局時要特別注意減小源極與柵極之間的寄生電感以防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于高頻應用場合，還需要考慮MOSFET的開關速度和損耗之間的平衡。

FDD86110 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.2 毫歐 @ 12.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2265pF @ 50V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)

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