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DMN601DMK-7

更新時間:2025-05-22 02:48:14

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專做MOS/ESD靜電二三極管進口替代和技術(shù)支持

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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，提供配單服務

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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DMN601DMK-7 概述

DMN601DMK-7是Diodes Incorporated生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用DMK封裝，具有低導通電阻特性，適用于需要高效功率管理的應用場景。其最大漏極-源極電壓為-20V，在柵極驅(qū)動電壓為-4.5V時，導通電阻僅為35mΩ，有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括便攜式設備中的電源管理、負載開關(guān)和電池保護電路等。由于其緊湊的封裝形式和優(yōu)良的電氣性能，特別適合對空間有嚴格要求且需要高性能MOSFET的設計。在實際應用中，建議注意正確的柵極驅(qū)動電壓范圍以確保最佳性能，并采取適當?shù)纳岽胧┓乐惯^熱。對于需要高精度控制和高效能的電路設計來說，這款MOSFET是一個理想的選擇。

DMN601DMK-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
305mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 歐姆 @ 200mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
225mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6
供應商設備封裝
SOT-26
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN601DMK-7-FDMN601DMK-FDITRDMN601DMK-FDITR-NDDMN601DMK-FTRDMN601DMK-FTR-NDDMN601DMKDITR

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DMN601DWK
DMN601DWK-7
DMN601K
DMN601K-7
DMN601K-7-F
DMN601TK
DS1302

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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