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DMN601K-7

更新時間:2025-07-04 14:45:49

供應商
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詢價

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DMN601K-7 概述

DMN601K-7是Diodes Incorporated公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該MOSFET采用DFN333封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極電壓下典型導通電阻為40mΩ。其最大漏源電壓為30V，適合于低壓應用環(huán)境。這款MOSFET在開關(guān)電源、負載開關(guān)和電池管理等場景中表現(xiàn)出色。在實際應用中，由于其小尺寸封裝特點，非常適合對電路板空間有嚴格要求的產(chǎn)品設(shè)計。例如在便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊中，可作為高效能的開關(guān)管使用。設(shè)計時應注意合理布局以確保散熱效果，并且保證驅(qū)動電壓滿足開啟要求，防止因電壓不足導致導通電阻增大而影響性能。

DMN601K-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
300mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
350mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設(shè)備封裝
SOT-23-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN601K-7-FDMN601K-FDITRDMN601K-FDITR-NDDMN601K-FTRDMN601K-FTR-ND

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DMN601K-7-F
DMN601DMK
DMN601DWK
DMN601DWK-7
DMN601K
DMN601TK
DP83848IVV

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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