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BSN20-7

更新時間:2025-07-06 06:47:21

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
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BSN20-7 概述

BSN20-7是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種便攜式電子設(shè)備中。其典型應(yīng)用包括電池供電設(shè)備的負載開關(guān)、電源管理電路中的同步整流以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等。在實際應(yīng)用中，BSN20-7因其低柵極電荷量可實現(xiàn)高效能的功率轉(zhuǎn)換，尤其適合需要高效率和緊湊設(shè)計的應(yīng)用場景。當用作負載開關(guān)時，建議在柵極串聯(lián)一個限流電阻以防止過大的沖擊電流損壞器件。在進行PCB布局時，應(yīng)盡量減小源極到漏極之間的走線長度和寬度，以減少寄生電感和電阻對電路性能的影響。此外，在選擇柵極驅(qū)動電壓時需確保其高于閾值電壓，以保證MOSFET充分導(dǎo)通。

BSN20-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
500mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.8 歐姆 @ 220mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
40pF @ 10V
功率 - 最大
600mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-23
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSN20-7DITR

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BSN20W
BCX56-16

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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