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BDT60A

更新時間:2025-05-28 22:20:07

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BDT60A 概述

BDT60A是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓(VDS)為60V，適合在低壓高頻應用中使用。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電機驅動控制以及電源管理電路等。由于其出色的導電性能和散熱能力，在需要高效能量轉換的場合表現(xiàn)尤為突出。同時，這款MOSFET還適用于電池供電設備，能有效提升系統(tǒng)整體效率并減少發(fā)熱量。在實際應用時，建議關注柵極驅動電路的設計以確保最佳性能。

BDT60A 規(guī)格參數

制造商
Bourns
產品種類
Transistors Darlington
配置
Single
晶體管極性
PNP
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
5 V
集電極—基極電壓 VCBO
80 V
最大直流電集電極電流
4 A
最大集電極截止電流
200 uA
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
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工廠包裝數量
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