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FDD6692

更新時間:2025-07-05 12:03:30

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FDD6692 概述

FDD6692是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的P溝道MOSFET。這款MOSFET采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。基礎描述方面，F(xiàn)DD6692的最大漏源電壓為-30V，在室溫下的最大連續(xù)漏極電流可達-12A。其柵極電荷較低，有助于減少開關損耗，提高整體效率。此外，該器件的低導通電阻確保了在高負載條件下也能保持較低的功率損耗。應用場景包括電池供電設備、便攜式電子設備以及需要高效電源轉換和管理的電路中。例如，在低壓差穩(wěn)壓器(LDO)設計中，F(xiàn)DD6692可以作為功率控制開關；也可用于DC-DC轉換器和電機驅動電路中，實現(xiàn)高效的能量傳輸與控制。使用時應注意散熱設計，以保證器件長期穩(wěn)定運行。

FDD6692 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 16 V
漏極連續(xù)電流
54 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
9.5 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
10 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
54 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
57 W
上升時間
5 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
35 ns
零件號別名
FDD6692_NL

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