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2N7002V-7

更新時間:2025-06-14 08:02:14

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2N7002V-7 概述

2N7002V-7是一款N溝道增強型MOSFET，采用SOT-23封裝。它由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)。這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，在柵極電壓為4.5V時最大導通電阻僅為3.3Ω。其漏源擊穿電壓為60V，適合用于低壓側負載開關、電源管理以及信號切換等應用。由于其小尺寸封裝和良好的電氣性能，常被應用于消費類電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦等便攜式設備中，也可用于工業(yè)控制系統(tǒng)的電路設計。在實際使用中應注意避免超過最大額定值，并且合理布局以減小寄生電感影響開關性能。

2N7002V-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
280mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 歐姆 @ 50mA，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
150mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝
SOT-563
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
2N7002VDITR

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