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2N7002TA

更新時間:2025-06-11 12:45:14

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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TO2363 SC59 SOT233/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)渠道-增值稅票

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深圳市納艾斯科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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2N7002TA 概述

2N7002TA是一款由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高速開關應用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達300mA，在小信號放大和開關電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電池管理以及各種消費電子產品的電源管理電路。在實際應用中，使用2N7002TA時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保柵極電壓不超過最大額定值。此外，在PCB布局設計時應盡量縮短源極到地的路徑，以減少寄生電感對性能的影響。對于需要高效率和緊湊設計的應用，2N7002TA是一個理想的選擇。

2N7002TA 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
115mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
330mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
2N7002TR

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