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ZXMN6A09DN8TA

更新時間:2025-07-03 09:27:40

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ZXMN6A09DN8TA 概述

ZXMN6A09DN8TA是來自Diodes Incorporated的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DFN1006封裝，具有極小的尺寸，非常適合空間受限的應用場景。其低導通電阻特性有助于減少功率損耗，在電池供電設備中表現(xiàn)尤為出色。典型應用包括智能手機、平板電腦等便攜式電子設備中的電源管理電路，如負載開關或DC-DC轉換器。使用時應注意避免超過最大額定電壓和電流，同時由于其小封裝設計，在焊接過程中需要特別注意溫度控制以防止損壞器件。在電路設計中，需確保柵極驅動電壓足夠以保證可靠導通，并根據(jù)具體應用選擇合適的外圍元件參數(shù)。

ZXMN6A09DN8TA 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 8.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24.2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1407pF @ 40V
功率 - 最大
1.25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
ZXMN6A09DN8TR

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ZXMN
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ZMM5V1

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