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ZXMHC6A07N8TC

更新時間:2025-07-03 10:00:05

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只做原裝進口正品支持實單

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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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深圳現(xiàn)貨只做原裝芯引力電子 https//www.xyl-mlcc

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深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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深圳市英特翎科技有限公司
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ZXMHC6A07N8TC 概述

ZXMHC6A07N8TC是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的增強型N溝道MOSFET，采用DFN3030封裝。該器件專為高效能、低導通電阻應用設計，具有極低的RDS(on)，在4.5V柵極電壓下典型值僅為12mΩ。其最大漏極電流可達9.4A，適合高密度PCB布局。此MOSFET廣泛應用于負載開關、電源管理、電機驅(qū)動等領域。在電池供電設備中，由于其低功耗特性，可以有效延長電池使用時間。對于需要快速開關的應用場景，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步整流電路，它也是一個理想選擇。在實際應用中，建議關注柵極驅(qū)動電壓，確保達到最佳導通性能。由于是DFN封裝，焊接時需注意熱管理以保證良好焊接效果。在設計PCB時，應優(yōu)化布線以減少寄生電感影響，并提供足夠的散熱路徑。

ZXMHC6A07N8TC 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋式）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.39A，1.28A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫歐 @ 1.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
166pF @ 40V
功率 - 最大
870mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
ZXMHC6A07N8DITR

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ZXMHC10A07N8
ZXMHC10A07T8
ZXMHC10A07T8TA
ZXMHC3A01N8
ZXMHC3A01N8TC
ZXMHC3A01T8
Z0409MF

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