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ZVP2120ASTZ

更新時間:2025-05-31 01:37:00

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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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ZVP2120ASTZ 概述

ZVP2120ASTZ是安森美半導體生產的一款P溝道功率MOSFET。該器件采用TSOP-6封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為-4.5V時，最大導通電阻僅為35mΩ（典型值28mΩ），這有助于降低導通損耗。其漏源擊穿電壓為-20V，適合用于低壓電路中進行電源管理、負載開關等應用。由于其小巧的封裝尺寸和良好的電氣性能，特別適用于便攜式設備如手機、平板電腦中的電池管理電路，也可用于DC-DC轉換器以及電機驅動等場景。在實際應用中需注意保證柵極驅動電壓足夠以確保可靠導通，并且要關注散熱設計以維持器件穩(wěn)定工作。

ZVP2120ASTZ 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
25 歐姆 @ 150mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
100pF @ 25V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應商設備封裝
TO-92-3
包裝
帶盒（TB）
其它名稱
ZVP2120ASTBZVP2120ASTZ-ND

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