SST39VF512-70-4C-NH
2865
PLCC/1608+
特價特價全新原裝現(xiàn)貨
SST39VF512-70-4C-WHE
43500
TSOP32/06PB
原裝
SST39VF512-70-4C-NH
30
PLCC/04+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
SST39VF512-70-4C-NHE
4600
PLCC/1119+
原裝特價假一賠十
SST39VF512
5000
DIP/26+
全新原裝現(xiàn)貨,一站式配單服務(wù)
SST39VF512
12260
DIP/23+
高品質(zhì) 優(yōu)選好芯
SST39VF512
5000
DIP/23+
原裝庫存,提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
SST39VF512
7300
DIP/23+
原裝現(xiàn)貨
SST39VF512
3000
DIP/08+
原裝正品熱賣,價格優(yōu)勢
SST39VF512
526
DIP/24+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
SST39VF512
3180
23+/DIP
特價原裝現(xiàn)貨,一站配齊
SST39VF512
789
TSOP/1019+
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
SST39VF512
8000
DIP/22+
原裝現(xiàn)貨,配單能手
SST39VF512
5000
DIP/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
SST39VF512
60701
DIP/24+
深圳原裝現(xiàn)貨,可看貨可提供拍照
SST39VF512
8913
PLCC32/23+
柒號芯城,離原廠的距離只有0.07公分
SST39VF512
5000
DIP/22+
一站式配單,只做原裝
SST39VF512
5000
32/PLCC 32/TSOP/25+
只做原裝
SST39VF512
5
TSOP/0209+
原裝現(xiàn)貨特價
SST39VF512
41000
DIP/24+
大量現(xiàn)貨 提供一站式配單服務(wù)
SST39VF512
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit ...
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit ...
SST [Silicon Storage Technology, Inc]
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit ...
SST
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit ...
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit ...
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th=500;" border=0> 圖 2 存儲器擴(kuò)展示意圖 存儲空間的擴(kuò)展方案 經(jīng)過a/d轉(zhuǎn)換的原始圖像數(shù)據(jù)是非常大的,tms320c5409的內(nèi)部僅有32kb的ram和16kb的rom ,不能滿足需要,因此,必須擴(kuò)展存儲器來存放原始圖像數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序。本文考慮外接64kb的ram和512kb的flash,ram使用cypress公司的cy7c1021v33, flash采用sst公司的sst39vf512。由于 c5409的數(shù)據(jù)空間僅為64kb,因此采用內(nèi)存頁擴(kuò)展技術(shù)。c5409的擴(kuò)展輸出口1q和2q作為擴(kuò)展內(nèi)存的頁選擇信號。用c5409的a15引腳和xf引腳通過3/8譯碼器來控制擴(kuò)展存儲器片選信號的產(chǎn)生,當(dāng)a15=0時,選擇片內(nèi)ram;當(dāng)a15=1,xf=0時選擇片外sram;當(dāng)a15=1,xf=1時選擇片外flash;存儲器的擴(kuò)展如圖2所示。將外部擴(kuò)展ram的64kb中的48kb用于存放原始圖像數(shù)據(jù),16kb用于存放壓縮后的圖像和程序以及暫存的數(shù)據(jù)。dsp芯片電源電路設(shè)計(jì) 電源設(shè)計(jì)中需要考
組織結(jié)構(gòu)為64K×8;讀、寫操作電壓2.7~3.6V;高可靠性,保證100000次讀/寫,數(shù)據(jù)保持100年;低功耗操作,動態(tài)電流:5mA(典型值),待機(jī)電流:1μA(典型值); 扇區(qū)擦除操作功能:均勻的4KB扇區(qū); 快速讀取時間:70ns; 鎖存地址和數(shù)據(jù); 快速擦除操作和字節(jié)編程時間,扇區(qū)擦除操作時間:18ms(典型值),芯片擦除操作時間:70ms(典型值); 字節(jié)編程時間:14μs(典型值),芯片重寫時間:1s;自動調(diào)節(jié)寫操作時間;寫操作完成監(jiān)測:Toggle位,Data#輪詢;兼容CMOS I/O; 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn); 所有無鉛裝置遵從RoHS標(biāo)準(zhǔn)
SST39VF512-70-4C-NH SST39VF6401 SST39VF6401-70-4C-B1KE SST39VF6401-70-4C-EKE SST39VF6401-70-4I-B1KE SST39VF6401B SST39VF6402-70-4I-B1K SST39VF6402-70-4I-EK SST39VF6402B SST39VF800
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