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NUF2221W1T2G的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):NUF2221W1T2G
最大雪崩電壓VBR(V)最小值:6.800
最大雪崩電壓VBR(V)典型值:8
反向漏電流IR(uA)最大值:0.100
反向工作電壓VRWM(V):5.250
線電容CLINE（pF）@2.5V典型值:42
電阻典型值(Ω):22
電阻最大值(Ω):26.400<...

ESD保護(hù)器件的主要特性參數(shù)分析及典型應(yīng)用
的微型封裝，在板上只占約4.8mm2的位置，卻可以同時(shí)保護(hù)多個(gè)線路。最近的許多新產(chǎn)品更是適應(yīng)便攜設(shè)備高集成度、小型化要求，將emi/rfi/esd保護(hù)集成在一個(gè)器件中，不但可以有效縮小空間，還大大減少了成本，降低了器件采購成本和加工成本，對(duì)于同時(shí)需要這幾種保護(hù)功能的端口來說，可謂設(shè)計(jì)者的首選(圖4)。 5.usb保護(hù) 一般usb的esd保護(hù)分上行(圖5)和下行(圖6)兩種情況。針對(duì)usb1.1的esd保護(hù)下行主要采用了nuf2101，上行esd保護(hù)采用stf202或者nuf2221w1t2。這些產(chǎn)品即能滿足usb線路終端的esd保護(hù)，還具有良好的濾波功能。 6.音頻/揚(yáng)聲器數(shù)據(jù)線路保護(hù) 在音頻數(shù)據(jù)線路保護(hù)方面(圖6)，由于音頻回路的信號(hào)速率比較低，對(duì)器件電容的要求不太高，100pf左右都是可以接受的。有的手機(jī)設(shè)計(jì)中將耳機(jī)和麥克風(fēng)合在一起，有的則是分立線路。前一種情況可以選擇單路tvs，而后一種情況如果兩個(gè)回路是鄰近的，則可以選用多路tvs陣列，只用一個(gè)器件就能完成兩個(gè)回路的保護(hù)。 7.按鍵/開關(guān) 對(duì)于按鍵和開關(guān)回路，這些回路的數(shù)據(jù)率

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nuf2221w1t2供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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nuf2221w1t2中文資料

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

類別:

家庭:

系列:

類型:

技術(shù):

通道數(shù):

中心 / 截止頻率:

衰減值:

電阻 - 通道 (Ohms):

電流:

值:

ESD 保護(hù):

濾波器階數(shù):

應(yīng)用:

封裝/外殼:

尺寸/尺寸:

高度:

包裝:

工作溫度:

其它名稱:

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ESD保護(hù)器件的主要特性參數(shù)分析及典型應(yīng)用

nuf2221w1t2替代型號(hào)

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電阻 - 通道 (Ohms):

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封裝/外殼:

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