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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>nts2101pt1g 更新時間:2026-04-01 00:57:35

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  • NTS2101PT1G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:nts2101pt1g源漏極間雪崩電壓vbr(v):8源漏極最大導通電阻rds(on)(mω):100最大漏極電流id(on)(a):1.400通道極性:p溝道封裝/溫度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-8 v, -1.4 a,雙功率mosfet價格/1片(套):¥1.50 來源:xiangxueqin

  • NTS2101PT1G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTS2101PT1G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):8
    源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):100
    最大漏極電流Id(on)(A):1.400
    通道極性:P溝道
    封裝/溫度(℃):SOT-23 /-55 ~150
    描述:-8 V, -1.4 A,雙功率MOSFET
    價格/1片(套):¥1.50

nts2101pt1g替代型號

NTR4503NT1G NTR4502PT1G NTR4501NT1G NTR4101PT1G NTR4101P NTR4003NT1G NTR2101PT1G NTR1P02T1G NTR1P02T1 NTR1P02LT1G

NTS4001NT1 NTS4001NT1G NTS4101PT1G NTS4409NT1G NTTD4401FR2G NTTS2P02R2G NTTS2P03R2G NTY100N10G NTZD3152PT1 NTZD3152PT1G

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