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NTD4804N-D
Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N-C...
ON Semiconductor
NTD4804N-DPDF下載
NTD4804NT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
NTD4804NT4GPDF下載
，35到191安培(a)的器件是單個(gè)n-溝道m(xù)osfet提供較低rds(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小，降低導(dǎo)電和開關(guān)損耗，使電源效率更高。 器件 其中8款新型功率mosfet器件采用dpak封裝，而每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.40至0.87美元之間。 器件 vds id rdson @ 10 v qg (典型) ntd4804n 30 v 117 a 4 mΩ 30 nc ntd4805n 30 v 88 a 5 mΩ 20.5 nc ntd4806n 30 v 76 a 6 mΩ 15 nc ntd4808n 30
rafano說(shuō):“為了幫助我們的客戶滿足特定應(yīng)用的需要，安森美半導(dǎo)體一直在拓展powerfet產(chǎn)品系列，以提供業(yè)內(nèi)品種最多的mosfet。因?yàn)榘采腊雽?dǎo)體有多種生產(chǎn)這些新型mosfet器件的制造資源，所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進(jìn)一步確保準(zhǔn)時(shí)供貨?！?器件 其中8款新型功率mosfet器件采用dpak封裝，而每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.40至0.87美元之間。 器件 vds id rdson @ 10 v qg (典型) ntd4804n 30 v 117 a 4 m? 30 nc ntd4805n 30 v 88 a 5 m? 20.5 nc ntd4806n 30 v 76 a 6 m? 15 nc ntd4808n 30 v 63 a 8 m? 11.3 nc ntd4809n 30 v 58 a 9 m? 10.7 nc ntd4810n 30 v 54 a 10 m? 9 nc ntd4813n 30 v 40 a 13 m? 6.9 nc ntd4815n 3
產(chǎn)品型號(hào):NTD4804NT4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):30
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):4
最大漏極電流Id(on)(A):117
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:30V,117A,N溝道MOSFET
價(jià)格/1片(套):暫無(wú)
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