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最大輸入功率pom(w) 功率開關(guān)管(mosfet) 固定電壓輸入(110/115/230vac) 寬范圍輸入(85~265vac) rds(on)(ω) id(pk)(a) mc33369t 20 12 12 0.5 mc33370t 40 25 12 0.9 mc33371t 75 45 6.8 1.5 mc33372t 100 65 4.8 2.0 mc33373t 125 75 3.8 2.7 mc33374t 150 90 3.0 2.7 該系列的性能特點(diǎn)如下: ●該系列ic較topswitch系列增加了電源端和狀態(tài)控制器的輸入器。其狀態(tài)控制端利用可編程控制器及外部模式選擇電路可實(shí)現(xiàn)多種控制方式,并可實(shí)現(xiàn)電源工作狀態(tài)和備用狀態(tài)之間的切換。同時(shí)該芯片內(nèi)部還增加了欠壓鎖定比較器、外部關(guān)斷電路和狀態(tài)控制器,因而其性能價(jià)格比更優(yōu),外圍電路更趨簡(jiǎn)單; ●其功率開關(guān)管由一只高壓結(jié)場(chǎng)型場(chǎng)效應(yīng)管(jeet)和一只低壓mos場(chǎng)效應(yīng)管(mosfet)串聯(lián)而成,該結(jié)構(gòu)被稱為“敏場(chǎng)效應(yīng)管”電流傳感式功率開關(guān)管
最大輸入功率pom(w) 功率開關(guān)管(mosfet) 固定電壓輸入(110/115/230vac) 寬范圍輸入(85~265vac) rds(on)(ω) id(pk)(a) mc33369t 20 12 12 0.5 mc33370t 40 25 12 0.9 mc33371t 75 45 6.8 1.5 mc33372t 100 65 4.8 2.0 mc33373t 125 75 3.8 2.7 mc33374t 150 90 3.0 2.7 該系列的性能特點(diǎn)如下: ●該系列ic較topswitch系列增加了電源端和狀態(tài)控制器的輸入器。其狀態(tài)控制端利用可編程控制器及外部模式選擇電路可實(shí)現(xiàn)多種控制方式,并可實(shí)現(xiàn)電源工作狀態(tài)和備用狀態(tài)之間的切換。同時(shí)該芯片內(nèi)部還增加了欠壓鎖定比較器、外部關(guān)斷電路和狀態(tài)控制器,因而其性能價(jià)格比更優(yōu),外圍電路更趨簡(jiǎn)單; ●其功率開關(guān)管由一只高壓結(jié)場(chǎng)型場(chǎng)效應(yīng)管(jeet)和一只低壓mos場(chǎng)效應(yīng)管(mosfet)串聯(lián)而成,該結(jié)構(gòu)被稱為“敏場(chǎng)效應(yīng)管”電流傳感式功率開關(guān)管
字信號(hào)進(jìn)行控制; 5)接上電延時(shí)電路; 6)禁止對(duì)狀態(tài)控制器進(jìn)行操作。 d為功率開關(guān)管漏極引出端。 mc33370的內(nèi)部主要包括9部分: 1)振蕩器; 2)并聯(lián)調(diào)整器/誤差放大器; 3)脈寬調(diào)制比較器與脈寬調(diào)制觸發(fā)器; 4)外部關(guān)斷電路及關(guān)斷觸發(fā)器; 5)電流極限比較器及功率開關(guān)管; 6)啟動(dòng)電路; 7)欠壓鎖定電路; 8)過熱保護(hù)電路; 9)狀態(tài)控制器。 由mc33374t/tv構(gòu)成的15v/3.5a、52w開關(guān)電源的電路如圖3所示。其交流輸入電壓u的允許變化范圍是92v~276v vd1~vd4為整流橋。初級(jí)保護(hù)電路由rc吸收電路(r2、c2)和鉗位保護(hù)電路(vdz、vd5)構(gòu)成,能有效抑制高頻變壓器漏感產(chǎn)生的尖 峰 電 壓 , 保 護(hù)mc33374內(nèi) 部 的 功 率 開 關(guān) 管 不 受 損 壞 。vdz采 用 p6ke200a型 瞬 態(tài) 電 壓 抑 制 器 ( tvs) , 圖 中 阻 容 元 件r1、c3的 序 號(hào) 空 缺 , 根 據(jù) 需 要 亦 可 將r2
相關(guān)元件pdf下載:mc33374 mbr20100ct 由mc33374t/tv構(gòu)成的15v/3.5a 52w開關(guān)電源的電路如圖所示。其交流輸入電壓u的允許變化范圍為92~276v。整流橋vd1~vd4采用4只1n5406型3a/600v的硅整流管。初級(jí)保護(hù)電路由rc吸收電路(r2、c2)和鉗位電路(vdz、vd5)構(gòu)成,能有效地抑制因高頻變壓器存在漏感而產(chǎn)生的尖峰電壓,保護(hù)mc33374內(nèi)部的功率開關(guān)管不受損壞。vdz采用p6ke200a型瞬變電壓抑制二極管(tvs),其反向擊穿電壓ub=200v。vd5選用的是murl60型超快恢復(fù)二極管(srd)。注意,該圖中阻容元器件r1、c3的序號(hào)空缺,根據(jù)需要亦可將r2、c2的串聯(lián)電路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并聯(lián)后再串以超快恢復(fù)二極管后,組成r、c、vd型保護(hù)電路。 c5為vcc端的旁路電容。s為控制開關(guān)穩(wěn)壓電源通、斷狀態(tài)的按鍵。s上串接r7后,能提高模式轉(zhuǎn)換的可靠性。vd6與c6組成反饋線圈輸出端的高頻整流濾波器。次級(jí)高頻整流管采用大電流、低壓降的肖特基二極管,型號(hào)為mbr20100c
由mc33374t/tv構(gòu)成的15v/3.5a 52w開關(guān)電源的電路如圖所示。其交流輸入電壓u的允許變化范圍為92~276v。整流橋vd1~vd4采用4只1n5406型3a/600v的硅整流管。初級(jí)保護(hù)電路由rc吸收電路(r2、c2)和鉗位電路(vdz、vd5)構(gòu)成,能有效地抑制因高頻變壓器存在漏感而產(chǎn)生的尖峰電壓,保護(hù)mc33374內(nèi)部的功率開關(guān)管不受損壞。vdz采用p6ke200a型瞬變電壓抑制二極管(tvs),其反向擊穿電壓ub=200v。vd5選用的是murl60型超快恢復(fù)二極管(srd)。注意,該圖中阻容元器件r1、c3的序號(hào)空缺,根據(jù)需要亦可將r2、c2的串聯(lián)電路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并聯(lián)后再串以超快恢復(fù)二極管后,組成r、c、vd型保護(hù)電路。 c5為vcc端的旁路電容。s為控制開關(guān)穩(wěn)壓電源通、斷狀態(tài)的按鍵。s上串接r7后,能提高模式轉(zhuǎn)換的可靠性。vd6與c6組成反饋線圈輸出端的高頻整流濾波器。次級(jí)高頻整流管采用大電流、低壓降的肖特基二極管,型號(hào)為mbr20100ct(20a/100v)。此管屬于共陰對(duì)管,兩個(gè)負(fù)極(陰極)在內(nèi)部短接,使用時(shí)需將兩
MC33375 MC33375D-2.5R2G MC33375D-3.3R2G MC33375ST-2.5T3G MC33385DH MC33388 MC33388D MC33389CDH MC33389CDW MC33389DDW
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