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CMOS模擬開關(guān)的選擇與應用
聯(lián)構(gòu)成，可使信號雙向傳輸，如果將不同vin值所對應的p 溝道m(xù)osfet 與n 溝道m(xù)osfet 的導通電阻并聯(lián)，可得到圖2 并聯(lián)結(jié)構(gòu)下導通電阻（ron）隨輸入電壓（vin）的變化關(guān)系，如果不考慮溫度、電源電壓的影響，ron 隨vin 呈線性關(guān)系，將導致插入損耗的變化，使模擬開關(guān)產(chǎn)生總諧波失真（thd），這是設(shè)計人員所不希望的，如何將ron隨vin的變化量降至最小也是設(shè)計新一代模擬開關(guān)所面臨的一個關(guān)鍵問題。另外，導通電阻還與開關(guān)的供電電壓有關(guān)，由圖3 可以看出：ron隨著電源電壓的減小而增大，當max4601的電源電壓為5v 時，最大ron為8ω；當電源電壓為12v 時，最大ron為3ω；電源電壓為24v時，最大ron僅為2.5ω。ron的存在會使信號電壓產(chǎn)生跌落，跌落量與流過開關(guān)的電流成正比，對于適當?shù)碾娏鬟@一跌落量在系統(tǒng)容許的誤差范圍內(nèi)，而要降低ron所耗費的成本卻很高，因此，應根據(jù)實際需要加以權(quán)衡。ron 確定后，還需考慮通道間的失配度與ron的平坦度。通道失配度用來描述同一芯片不同通道間ron 的差別；ron 的平坦度用于描述每一通道的ron在所規(guī)定的信號范圍內(nèi)的變化量。這兩個參數(shù)的典型值為

問一個模擬開關(guān)的問題
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