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HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES
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HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES
MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]
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Hybrid Integrated Circuit For Drivin...
POWEREX
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HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES
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IC GATE DRVR FOR IGBT MOD
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的正負(fù)兩種輔助電源, 則可以彌補(bǔ)這些不足。 輔助開關(guān)電源輸出平均功率約30w, 為簡化電路、縮小體積、提高可靠性, 單端反激變換器為最佳選擇。但在實(shí)際情況下, 有些大功率igbt 電源變換裝置的輸入是沒有中線的三相三線制電源(如電焊機(jī)), 這就要求輔助開關(guān)電源能在380 v ac 輸入條件下工作(最高可達(dá)460 v ac ) , 此時(shí)開關(guān)管的耐壓要求應(yīng)在1 200 v 以上, 給器件的選擇帶來難度。 筆者在設(shè)計(jì)一套26. 4 kw 的大功率igbt 電源變換裝置時(shí), 針對(duì)厚膜驅(qū)動(dòng)電路m57962的需求, 研制了一種小體積、高可靠的380 v ac 輸入、多路輸出小功率輔助開關(guān)電源。 2 電路結(jié)構(gòu)及工作原理 380 v ac 輸入、多路輸出輔助開關(guān)電源電原理圖如圖1所示。在圖1中, 使用了一只常見的美國pi公司第二代功率開關(guān)集成電路top224y.這是一種大規(guī)模功率ic, 不僅集成了振蕩電路、啟動(dòng)電路、pwm 控制電路、過流保護(hù)電路、過熱保護(hù)電路,而且集成了一只700 v 的功率mosfet.該功率ic與使用一只分立mosfet 和外接控制集成電路的方案相比, 可以減少約2
種igbt門極驅(qū)動(dòng)光耦合器,其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測(cè)電路及故障狀態(tài)反饋電路。主要有以下一些特性:兼容cmos/ttl電平;光隔離,故障狀態(tài)反饋;開關(guān)速度最大500ns;“軟”igbt關(guān)斷;vce欠飽和檢測(cè)及帶滯環(huán)欠壓鎖定保護(hù);寬工作電壓范圍(15~30v)。igbt用的是西門子公司的bsm300ga120dn2,耐壓等級(jí)為1200v,300a單管,共六個(gè)igbt,使用單模塊的目的是為有效散熱;而驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)通常作為驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的一個(gè)重要的環(huán)節(jié),如國內(nèi)很多廠家經(jīng)常使用的m57959和m57962芯片,在三相逆變控制中,要設(shè)計(jì)多路相互隔離的驅(qū)動(dòng)電源,如多路+15v和多路-10v等。同時(shí)驅(qū)動(dòng)電源的高要求也是整個(gè)產(chǎn)品可靠性的根本保證。而如何設(shè)計(jì)簡單可靠的驅(qū)動(dòng)電源也就成為設(shè)計(jì)人員想方設(shè)法去解決的問題。在青藏鐵路的輔助電源系統(tǒng)中,就采用了單電源供電的可靠性高的驅(qū)動(dòng)電路,見下圖。 圖1上管igbt驅(qū)動(dòng)電路 530)this.width=530"> 圖1為上管igbt驅(qū)動(dòng)電路,其中由控制器產(chǎn)生pwm1及reset信號(hào)輸出給光耦,同時(shí)光耦產(chǎn)生的igbt故障信號(hào)fail_dr給控制器;
igbt(isolate gate bipolar transistor)是mosfet與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有mosfet易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),又具有功率晶體管工作電壓高、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于mosfet與功率晶體管之間,可正常工作于幾khz~幾十khz頻率范圍內(nèi),故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位[1~2]。 對(duì)于igbt 電壓型功率器件,目前有多種帶保護(hù)和隔離的集成驅(qū)動(dòng)芯片,如ir2110、exb841、m57962 等,它們具有隔離驅(qū)動(dòng)、電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)[2]。這些混合ic具有各自的特點(diǎn),應(yīng)用于不同的場(chǎng)合,也有一定的局限性: 1)ir2110具有自舉能力,可以在驅(qū)動(dòng)橋式電路時(shí)使用一組電源,但芯片與主電路的高壓直接相連,安全性較差[3]; 2)exb841集成度較高,但針對(duì)不同開關(guān)頻率的保護(hù)調(diào)節(jié)不方便[4]; 3)m57962 驅(qū)動(dòng)能力大,適用于大功率單管igbt,但與exb841一樣不能調(diào)節(jié)退飽和保護(hù)時(shí)間,并且動(dòng)作速度太慢。 mc33153 是一款應(yīng)用于中大功率的單個(gè)igbt驅(qū)動(dòng)芯片[1],具有電流保護(hù)、器件退飽和保護(hù)以及
種igbt門極驅(qū)動(dòng)光耦合器,其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測(cè)電路及故障狀態(tài)反饋電路。主要有以下一些特性:兼容cmos/ttl電平;光隔離,故障狀態(tài)反饋;開關(guān)速度最大500ns;“軟”igbt關(guān)斷;vce欠飽和檢測(cè)及帶滯環(huán)欠壓鎖定保護(hù);寬工作電壓范圍(15~30v)。igbt用的是西門子公司的bsm300ga120dn2,耐壓等級(jí)為1200v,300a單管,共六個(gè)igbt,使用單模塊的目的是為有效散熱;而驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)通常作為驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的一個(gè)重要的環(huán)節(jié),如國內(nèi)很多廠家經(jīng)常使用的m57959和m57962芯片,在三相逆變控制中,要設(shè)計(jì)多路相互隔離的驅(qū)動(dòng)電源,如多路+15v和多路-10v等。同時(shí)驅(qū)動(dòng)電源的高要求也是整個(gè)產(chǎn)品可靠性的根本保證。而如何設(shè)計(jì)簡單可靠的驅(qū)動(dòng)電源也就成為設(shè)計(jì)人員想方設(shè)法去解決的問題。在青藏鐵路的輔助電源系統(tǒng)中,就采用了單電源供電的可靠性高的驅(qū)動(dòng)電路,見下圖。 上管igbt驅(qū)動(dòng)電路 為上管igbt驅(qū)動(dòng)電路,其中由控制器產(chǎn)生pwm1及reset信號(hào)輸出給光耦,同時(shí)光耦產(chǎn)生的igbt故障信號(hào)fail_dr給控制器;tl1111芯片把輸入的+15變換成-10v關(guān)斷電壓;同時(shí)利用二極
20khz工作過程中不超過管子的最大承受電流,必須引入電流負(fù)反饋環(huán)節(jié)以限制電流峰值。 gb15579明確規(guī)定:焊接電源輸入端與輸出端之間必須能承受4000v/1min的安全要求。焊接電源主電路示意圖如圖2所示,不難看出,功率變壓器實(shí)現(xiàn)高耐壓隔離很容易實(shí)現(xiàn),但在引入電壓、電流負(fù)反饋后,負(fù)反饋電路與焊接回路的隔離和驅(qū)動(dòng)電路與輸入電路的隔離,成為解決安全要求的主要課題。目前,一般采用如下的方式: a、 采用電壓、電流霍爾傳感器對(duì)電壓&電流進(jìn)行采樣,驅(qū)動(dòng)電路采用exb841或m57962驅(qū)動(dòng)厚膜電路#優(yōu)點(diǎn)"電路結(jié)構(gòu)簡單,驅(qū)動(dòng)電路在igbt關(guān)斷時(shí)提高負(fù)偏壓,提高igbt抗干擾能力。 缺點(diǎn):1)電壓&電流傳感器響應(yīng)速度慢,一般都大于1us,不能完全真實(shí)地反映焊接電源的工作狀態(tài),對(duì)短路電流峰值不能很好地控制,對(duì)igbt的安全是一種潛在威脅。2)成本較高。電壓、電流傳感器在200 元左右,驅(qū)動(dòng)厚膜電路300元左右。 b、電壓、電流直接從焊接回路采樣,驅(qū)動(dòng)電路采用脈沖變壓器。 優(yōu)點(diǎn):電路的響應(yīng)速度快,成本低廉。 缺點(diǎn):1)因驅(qū)動(dòng)采用脈沖變壓器,在igbt關(guān)

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M57962L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖
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M57962L驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí)的典型電路相關(guān)元件PDF下載: