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Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5...
IRF
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4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Po...
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Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5...
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MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V ,...
IRF [International Rectifier]
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Power MOSFET
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下。 式中:tmax為最大開關(guān)周期。 再根據(jù)lc振蕩頻率fs來設計諧振電感l(wèi)s的大小,其計算公式如下。 ls的選擇也涉及到很多問題,降低開關(guān)損耗;提高電源效率,但過小,雖然占空比丟失最小,但增大開關(guān)損耗,加劇了開關(guān)管的溫升,降低了電源的可靠性。 3 實驗結(jié)果 根據(jù)以上方法設計和制作了200w移相全橋諧振zvs變換器實驗樣機,其主要參數(shù)如下: 輸入直流電壓vin為280~550v; 輸出電流io為o"8.33a; 開關(guān)頻率fs為200khz; 4個主開關(guān)管為irfpg40; 驅(qū)動控制芯片為uc3875; mosfet驅(qū)動芯片采用了mic4420; 輸出整流二極管為mur3020; 輸出濾波電感l(wèi)f為19.8μh; 輸出濾波電容cf為1800μf; 諧振電感l(wèi)r為28μh。 圖4示出了電路的脈沖驅(qū)動波形和主開管兩端所測脈沖波形。 4 結(jié)語 本文在移相全橋zvs電路拓撲基礎之上,根據(jù)等效電路模捌,分析了諧振電路在各時序工作模態(tài)下的電路原理。發(fā)展諧振技術(shù)可以提高開關(guān)頻率、降低開關(guān)損耗、減少開關(guān)裝置的體積和重量。因此更通用的諧振變換
抑制原邊電流急劇變化引起的寄生振蕩,降低開關(guān)損耗;但過大義延長了占空比丟失時間,使整機的效率明顯降低。如取小些,負載電流最大時仍能控制移相穩(wěn)定,提高電源效率,但過小,雖然占空比丟失最小,但增大開關(guān)損耗,加劇了開關(guān)管的溫升,降低了電源的可靠性。 3 實驗結(jié)果 根據(jù)以上方法設計和制作了200w移相全橋諧振zvs變換器實驗樣機,其主要參數(shù)如下: 輸入直流電壓vin為280~550v; 輸出直流電壓vo為24v; 輸出電流io為o~8.33a; 開關(guān)頻率fs為200khz; 4個主開關(guān)管為irfpg40; 驅(qū)動控制芯片為uc3875; mosfet驅(qū)動芯片采用了mic4420; 輸出整流二極管為mur3020; 輸出濾波電感l(wèi)f為19.8μh; 輸出濾波電容cf為1800μf; 諧振電感l(wèi)r為28μh。 圖4示出了電路的脈沖驅(qū)動波形和主開管兩端所測脈沖波形。 4 結(jié)語 本文在移相全橋zvs電路拓撲基礎之上,根據(jù)等效電路模捌,分析了諧振電路在各時序工作模態(tài)下的電路原理。變換器的兩個死區(qū)時間也合理設計來保證開關(guān)管的開關(guān)應力,同時滿足各個開關(guān)管的zvs實現(xiàn)條件。諧振參數(shù)的設計可
4.3A/1000V
IRFR024NTRPBF IRFR220NPBF IRFR320 irfr420 IRFR5305 IRFR9110 IRFR9120 IRFR9220 IRFS10 IRFS3006-7PPBF
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