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微米工藝生產(chǎn)具有1mb flash的芯片。lpc2100系列成員在sram的數(shù)量上有較大差別。lpc2104, lpc2105和lpc2106分別具有16k, 32k和64k sram。較大的片內(nèi)存儲器使lpc2105和lpc2106更適合于處理協(xié)議棧的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。philips表示將來這一系列的芯片將增加以太網(wǎng)、usb、802.11、can以及a/d轉(zhuǎn)換等邏輯。 集成flash的兩種方法philips不是第一家生產(chǎn)基于arm的mcu的公司，它甚至不是第一家集成flash存儲器的公司。atmel、hynix和oki都提供基于arm7tdmi-s內(nèi)核的帶有flash的mcu，而且所有這些廠商的器件都比philips mcu的flash容量更大。最強(qiáng)大的競爭對手是atmel，它的at91系列就有4款這樣的芯片－有些具有2mb的flash，16倍于現(xiàn)有的philips lpc2100系列器件。atmel mcu傾向于具有更多的sram，其中兩款的時鐘速度高于philips的芯片。但是atmel、hynix、oki和philips所生產(chǎn)的基于arm7的mcu具有一個重要的區(qū)別，那就是：只有philips和
為止，mram被證實(shí)很難達(dá)到大量生產(chǎn)。 stt-ram 算是第二代的磁性隨機(jī)存取存儲器技術(shù)，且號稱解決了部分傳統(tǒng)mram架構(gòu)所遭遇的問題?，F(xiàn)今大多數(shù)mram寫入資料的原理，是透過利用一道電流通過鄰近穿隧磁阻（tunneling magnetoresistive，tmr）元件之電線所產(chǎn)生的磁場，來改變其磁性；grandis指出，這種機(jī)制的運(yùn)作速度快，但十分耗電，而該公司則開發(fā)出一種完全不同的方法。 目前打算投入mram領(lǐng)域的公司還包括avalanche、crocus technology、hynix、ibm-tdk、renesas、samsung與toshiba等等，但到目前為止市場上只有一家公司的mram產(chǎn)品，即從freescale semiconductor獨(dú)立而出的everspin technologies。 everspin 最近表示，該公司迄今最高容量的16mbit mram產(chǎn)品已經(jīng)開始送樣，適合工業(yè)與嵌入式等領(lǐng)域的資料保存相關(guān)應(yīng)用，可望取代電池供電的sram或是相關(guān)的離散式解決方案，可能受威脅的廠商包括cypress、issi、maxim、st、ti等。 在grandi
說明 資料下載 am29lv400 amd am29lv800 amd am29lv160 amd sst39vf1601 sst sst39vf3201 sst sst39vf800 sst sdram芯片 型號 廠家 封裝 說明 資料下載 hy57v161610 hynix hy57v641620 hynix hy57v281620 hynix hy57v561620 hynix k4s161622 samsung k4s641632 samsung k4s281632 samsung k4s561632 samsung k4s643232 s
1 引言fifo(first in first out)是一種具有先進(jìn)先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時顯示控制領(lǐng)域中．往往需要對大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲和讀取，而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求，是傳統(tǒng)ram無法達(dá)到的。許多系統(tǒng)都需要大容量fifo作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個fifo芯片級聯(lián)擴(kuò)展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對hynix公司的兩款sram和dram器件，介紹了使用cpld進(jìn)行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本、大容量、高速度fifo的方法。該方法具有通用性,可以方便地移植到與其他ram器件相連的應(yīng)用中去[1]。 2基于sram的設(shè)計與實(shí)現(xiàn) 2．1 sram結(jié)構(gòu)芯片hy64ud16322a靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器sram(static random access memory)是一種非常重要的易失性存儲器，它的速度非?？欤⑶夷茉诳焖僮x取和刷新時保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。本系統(tǒng)sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速、超低功耗32 mbit
1 引言 fifo(first in first out)是一種具有先進(jìn)先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時顯示控制領(lǐng)域中．往往需要對大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲和讀取，而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求，是傳統(tǒng)ram無法達(dá)到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量fifo作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個fifo芯片級聯(lián)擴(kuò)展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對hynix公司的兩款sram和dram器件，介紹了使用cpld進(jìn)行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本、大容量、高速度fifo的方法。該方法具有通用性,可以方便地移植到與其他ram器件相連的應(yīng)用中去[1]。 2基于sram的設(shè)計與實(shí)現(xiàn) 2．1 sram結(jié)構(gòu)芯片hy64ud16322a 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器sram(static random access memory)是一種非常重要的易失性存儲器，它的速度非常快，并且能在快速讀取和刷新時保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。本系統(tǒng)sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速
Hynix Semiconductor公司日前宣布推出據(jù)稱是世界上速度最快、密度最高的圖形存儲器——512Mb容量的第四代圖形DDR(GDDR4) DR...Hynix新款1Gb GDDR5繪圖DRAM面向高清圖像應(yīng)用海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5繪圖DRAM，工作帶寬為5Gbps，32位I/O通道，數(shù)據(jù)處理數(shù)率高達(dá)20GB/s，非常適合于高清視頻、圖像處理應(yīng)用。 東京法庭星期五判決hynix 半導(dǎo)體公司的日本業(yè)務(wù)部門暫停在日本銷售nand閃存產(chǎn)品，此前，東芝公司已就專利侵權(quán)起訴了位于韓國的這家對手。 判決令讓東芝在快速發(fā)展的內(nèi)存產(chǎn)品市場獲得先機(jī)。 但hynix 已表示，它計劃對判決進(jìn)行起訴。暫停在日銷售nand閃存將影響其在日本市場的地位。判決令出來以后，hynix 的股票下跌了近3.7%。 東京法庭還要求hynix 向東芝支付6.655 萬美元的損害賠償金。東芝是世界上第二大nand閃存芯片制造商，僅次于三星公司。 東芝在2004年向東京地方法院提起訴訟，指控hynix 侵犯了它的nand閃存芯片專利技術(shù)。nand閃存近年來呈現(xiàn)爆炸性的增長勢頭，它被廣泛的應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)，便攜式音樂播放器當(dāng)中。 hynix 是世界上第二大dram內(nèi)存生產(chǎn)商，目前，這家公司已經(jīng)逐漸轉(zhuǎn)型于nand內(nèi)存的生產(chǎn)。三星是dram和nand的生產(chǎn)冠軍。 2005年最后三個月，hynix 的市場份額在nand市場急劇膨脹，這直接威脅到了東芝的市場地位。 daewoo證券公司的分析師chung chang-won 說，hynix 的nand閃存業(yè)務(wù)的潛在影響 (電子市場網(wǎng)訊) 近日消息，東京一家法院宣布，在東芝提起專利訴訟案后，它已經(jīng)命令hynix日本分部停止在日本銷售nand閃存芯片。這一裁決可能會增強(qiáng)東芝的閃存業(yè)務(wù)。但hynix表示，它計劃上訴這一裁決。 東京地方法院的一名代表說，法院已經(jīng)命令hynix賠償東芝784萬日元。東芝于2004年在地方法院起訴了hynix，指控hynix侵犯了其nand閃存芯片的專利。 hynix一直在將其生產(chǎn)能力由dram轉(zhuǎn)向生產(chǎn)盈利能力更高的nand產(chǎn)品。在2005年的最后3個月中，它在110億美元的nand閃存市場上的份額增長非常迅速，對東芝第二大nand閃存供應(yīng)商的地位構(gòu)成了威脅。 大宇證券的分析師chung chang-won表示，這一裁決對hynix nand閃存芯片業(yè)務(wù)的影響有限。他說，由于法院的裁決只影響采用0.11微米工藝的512mb的芯片，而hynix這類芯片的產(chǎn)量很低，因此它的影響可以忽略不計。hynix在日本的銷售只占其nand芯片的10%。但東芝的一名發(fā)言人說，這一裁決影響hynix的許多內(nèi)存產(chǎn)品。 chung表示，美國法院的裁決可能對它更重要，hynix可能通過與東芝談 更精確的說法是，由于受到ic產(chǎn)業(yè)衰退的嚴(yán)重打擊，這個由本土芯片制造商支撐的市場已經(jīng)搖搖欲墜…雖然芯片廠商們現(xiàn)在終于看到復(fù)蘇跡象，并可望有助于療傷，但更往前看，韓國四大ic供貨商與這個國家的整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，正面臨全球市占率保衛(wèi)戰(zhàn)。 在最近一場于首爾舉行的研討會上，有位三星(samsung)的高層坦言該公司仍太依賴內(nèi)存業(yè)務(wù)，并認(rèn)為三星有必要尋找可為公司注入成長動能的新市場。而三星雖也已經(jīng)將觸角伸向非內(nèi)存市場，包括重回電源ic領(lǐng)域，但這家芯片供應(yīng)大廠仍在不少業(yè)務(wù)領(lǐng)域辛苦掙扎。 內(nèi)存業(yè)者海力士(hynix)最近被債權(quán)人把整間公司拿去標(biāo)售，但現(xiàn)在唯一的投標(biāo)者也自身難保。另一家芯片業(yè)者magnachip semiconductor剛擺脫破產(chǎn)，模擬晶圓代工廠dongbu hitek則是好不容易取得一筆資金挹注，稍稍減輕負(fù)債壓力。 還有更慘的嗎？有產(chǎn)業(yè)界高層表示，韓國持續(xù)大力扶植的無晶圓廠ic產(chǎn)業(yè)，實(shí)際發(fā)展情況與預(yù)期目標(biāo)出現(xiàn)落差；要發(fā)展無晶圓廠ic產(chǎn)業(yè)，需要培育具創(chuàng)新能力的新公司，但該國卻還是過于依賴由家族財團(tuán)或財閥經(jīng)營的大集團(tuán)企業(yè)，諸如現(xiàn)代(hyundai)、樂金(lg)與三星。 南韓無疑是 確的說法是，由于受到ic產(chǎn)業(yè)衰退的嚴(yán)重打擊，這個由本土芯片制造商支撐的市場已經(jīng)搖搖欲墜…雖然芯片廠商們現(xiàn)在終于看到復(fù)蘇跡象，并可望有助于療傷，但更往前看，韓國四大ic供貨商與這個國家的整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，正面臨全球市占率保衛(wèi)戰(zhàn)。 在最近一場于首爾舉行的研討會上，有位三星(samsung)的高層坦言該公司仍太依賴內(nèi)存業(yè)務(wù)，并認(rèn)為三星有必要尋找可為公司注入成長動能的新市場。而三星雖也已經(jīng)將觸角伸向非內(nèi)存市場，包括重回電源ic領(lǐng)域，但這家芯片供應(yīng)大廠仍在不少業(yè)務(wù)領(lǐng)域辛苦掙扎。 內(nèi)存業(yè)者海力士(hynix)最近被債權(quán)人把整間公司拿去標(biāo)售，但現(xiàn)在唯一的投標(biāo)者也自身難保。另一家芯片業(yè)者magnachip semiconductor剛擺脫破產(chǎn)，模擬晶圓代工廠dongbu hitek則是好不容易取得一筆資金挹注，稍稍減輕負(fù)債壓力。 還有更慘的嗎？有產(chǎn)業(yè)界高層表示，韓國持續(xù)大力扶植的無晶圓廠ic產(chǎn)業(yè)，實(shí)際發(fā)展情況與預(yù)期目標(biāo)出現(xiàn)落差；要發(fā)展無晶圓廠ic產(chǎn)業(yè)，需要培育具創(chuàng)新能力的新公司，但該國卻還是過于依賴由家族財團(tuán)或財閥經(jīng)營的大集團(tuán)企業(yè)，諸如現(xiàn)代(hyundai)、樂金(lg)與三星。 南韓無疑 全球第二大電腦記憶體晶片制造商hynix（海力士）表示，其在韓國新建成的nand快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)，該工廠將采用12英寸晶圓生產(chǎn)芯片，能夠以具有競爭力的成本切割更多芯片。 hynix表示，該新廠是其位于忠清道（chungcheong）清州市（cheongju）的第三家晶圓廠，命名為“m11”，于2007年4月開始動工，總面積達(dá)294,637 平方米，建筑面積占地108,697 平方米。m11靠近hynix目前正在運(yùn)營中的另外兩個芯片制造廠，新工廠將會很好的利用現(xiàn)有的人力資源和架構(gòu)。 hynix董事長兼ceo kim jong-gap表示，公司計劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。 已小規(guī)模生產(chǎn)nand閃存的m11生產(chǎn)線計劃從9月起開始生產(chǎn)40,000片12英寸晶圓，以后月產(chǎn)能將升至100,000片以上。hynix表示，m11將專門制造最先進(jìn)的高密度nand閃存產(chǎn)品，包括采用40nm工藝技術(shù)的16gb、32gb閃存芯片。m11的產(chǎn)能將根據(jù)實(shí)際市場需求做出靈活的調(diào)整。第三個晶圓廠的完工，將使得hynix在總的300mm晶圓的產(chǎn)能上獲得約達(dá)到2 的市場定位就是與高檔單片機(jī)競爭？？？ 用lpc2119,2132做了幾款產(chǎn)品，真的不知道philisp的arm7是怎么回事，沒看過arm7的內(nèi)核，也沒看過指令系統(tǒng)...... 只是看了cpu內(nèi)部有什么功能模塊及其用法，每個引腳是干什么的，就夠了... 編程方面，用keil for arm （含rtos），也不用自己寫啟動代碼，也不用仿真器或jtag，就跟寫c51程序的時候一個樣，在pc調(diào)試好了，串口燒寫，串口監(jiān)視...... arm（中國）公司一篇文章中提到： atmel hynix oki 和philips 所生產(chǎn)的基于arm7 的mcu 具有一個重要的區(qū)別那就是只有philips 和hynix 將flash 存儲器與處理器核集成在同一個管芯當(dāng)中atmel 和oki 將一個單獨(dú)的flash 芯片與處理器集成在一個多芯片封裝當(dāng)中很自然這對存儲器性能封裝大小功耗以及價格有著很重要的影響 在atmel 的cpu當(dāng)中flash 接口的寬度只有32 位而不是philips 的128 位寬度訪問時間大約110ns 只有philips lash 存儲器速度的一半一個后果就是at 不需要大容量存儲器時，可以考慮選用有內(nèi)置存儲器的arm芯片。見表1。 表1 內(nèi)置存儲器的arm芯片 芯片型號 供應(yīng)商 flash容量 rom容量 sram容量 at91f40162 atmel 2m bytes 256k bytes 4k bytes at91fr4081 atmel 1m bytes 128k bytes saa7750 philips 384k bytes 64k bytes puc3030a micronas 256k bytes 56k bytes hms30c7202 hynix 192k bytes ml67q4001 oki 256k bytes lc67f500 snayo 640k bytes 32k 1.4 usb接口 許多arm芯片內(nèi)置有usb控制器，有些芯片甚至同時有usb host和usb slave控制器。見表2。 表2 內(nèi)置usb控制器的arm芯片 芯片型號 arm內(nèi)核 供應(yīng)商 usb slave usb host iis接口 s3c2410 arm920t samsung 1 2 1 s3c2400 arm920t samsung 1 2 1 s 不需要大容量存儲器時，可以考慮選用有內(nèi)置存儲器的arm芯片。見表1。 表1 內(nèi)置存儲器的arm芯片 芯片型號 供應(yīng)商 flash容量 rom容量 sram容量 at91f40162 atmel 2m bytes 256k bytes 4k bytes at91fr4081 atmel 1m bytes 128k bytes saa7750 philips 384k bytes 64k bytes puc3030a micronas 256k bytes 56k bytes hms30c7202 hynix 192k bytes ml67q4001 oki 256k bytes lc67f500 snayo 640k bytes 32k 1.4 usb接口 許多arm芯片內(nèi)置有usb控制器，有些芯片甚至同時有usb host和usb slave控制器。見表2。 表2 內(nèi)置usb控制器的arm芯片 芯片型號 arm內(nèi)核 供應(yīng)商 usb slave usb host iis接口 s3c2410 arm920t samsung 1 2 1 s3c2400 arm920t samsung 1 2 1 s 請教：下載程序和燒寫程序有什么區(qū)別？謝謝！請教：一位大哥說：“下載是下到ram里面 燒寫是寫到rom里面”各位大大，我的開發(fā)板上有 am29lv160db 和 hynix 這兩塊芯片。請教：am29lv160db 是屬于 ram ，還是屬于 rom？hynix 是屬于 ram ，還是屬于 rom？還有，是不是一般把 boot 和 linux 系統(tǒng) 下載到 am29lv160db把我自己寫的程序燒寫到 hynix ？是不是兩片芯片的地址都是從 0 開始的？燒寫和下載有什么區(qū)別呢？謝謝！ 電子科技有限公司地址:上海市浦東新區(qū)即墨路99號3號樓1507室 郵編:200120 電話:021-58767384 傳真:021-58767384qq：16951849 mp：13816698198email：zhisheng.fan@163.com msn: diegofanzs@hotmail.com網(wǎng)址: http://www.ideal.2ic.cc 主要經(jīng)營samsung、cirrus logic、atmel、mot、fujistu、spiex、micrel、intel、sst、hynix 、epson等公司的集成電路.長期穩(wěn)定供應(yīng)samsung、cirrus logic、atmel、hynix 、intel公司arm芯片和配套元器件(sdram、flash、以太網(wǎng)芯片、串口芯片、usb、音視頻處理芯片等)。同時提供各類arm芯片解決方案和配套服務(wù)。免費(fèi)提供cirrus logic公司原廠ep7312、ep930x、ep9315評估板光盤和intel公司原廠pxa255和pxa27x評估板資料。 聯(lián)系人： 聯(lián)系方式： |
