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中頻加熱系統(tǒng)IGBT控制、驅動及保護電路設計
系統(tǒng)未采用集成igbt驅動模塊，所設計的igbt驅動電路如圖2所示。其中hp3101是高速光耦，用于實現輸入輸出信號的電氣隔離，q1，q2組成功率放大電路，采用+15v和-10v雙電源供電，保證正負偏壓滿足要求。out1、out3來自圖1 igbt控制電路。3 igbt過流保護電路設計為了防止短路造成igbt模塊損壞，必須有完善的故障檢測和保護環(huán)節(jié)，及時檢測出過電流故障，并迅速關斷。本系統(tǒng)igbt過流保護電路如圖3所示。其中運放c814組成電壓跟隨器，其輸入是來自電流互感器的輸出，兩個電壓比較器c271組成窗口電壓比較器，比較器的輸出經施密特反相器連接到與門的輸入端。當igbt沒有過流時，c814的輸入電壓比較低，窗口電壓比較器輸出為高電平，因此en信號為高電平，使igbt驅動信號有效，反之，當igbt過流時，en信號變?yōu)榈碗娖?，封鎖了igbt驅動信號而使igbt關斷，調節(jié)電位器vr2，可以改變過流閾值的大小。來源:xiangxueqin

數控直流穩(wěn)壓電源六
6v的鋁電解電容器。 vdl選用ln4001或1n4007型硅整流二極管;vdz-vdl0選用1n5404或1n5408型硅整流二極管;vdll-vd2o均選用1n4148型硅開關二極管。 vli和vl2均選用與led數碼顯示器發(fā)光顏色相同、尺寸相近的扁方形 (2mmx5mm)發(fā)光二極管;led數碼顯示器選用7位共陰數碼管。 vl-vll選用s9013或s8050型硅npn晶體管，vl-vlo的飽和壓降應為0.4v，電流放大倍數大于或等于100。 icl選用cd4028或mcl4028、c271型bcd十進制譯碼器集成電路;ic2選用cd40192或cl51型二一十進制同步可逆計數器集成電路;ic3選用cd40110型顯示驅動集成電路;i叫選用lm7805型三端穩(wěn)壓集成電路;ic5選用lm317型三端可調穩(wěn)壓集成電路。 s1選用250v、觸頭電流負荷為5a的電源開關;s2選用雙極雙位轉換開關;53和54均選用微型動合按鈕。 t選用2ow、二次電壓為一組9v和兩組18v的電源變壓器。電路調試電路安裝完畢后，先用一只300-510ω的電位器代替ro，將s2置于 "1"位置，調整
IGBT過電流保護電路原理圖
相關元件pdf下載：c814 c271 74hc74

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