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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>bt33b 更新時間:2025-12-11 04:35:24

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  • 用萬用表測量硅單結晶體管

    ,測量方法如圖1—128所示。 測量后的數(shù)據(jù)可見下表所列。 發(fā)射極到兩個基極的反向電阻應映了發(fā)射極的漏電流。這個電流是很小的,一般只有1—2μa,因此阻值應該很高,即使用高電壓的電阻檔量,阻值也很高。 (2)分壓比的粗測方法 硅單結晶管是個負阻元件,它可以存在兩種狀態(tài),一種是發(fā)射放電流極小的截止狀態(tài),一種是發(fā)射極電流較大的導通狀態(tài)。 型 號 eθb1⊕ eθb2⊕ b1⊕b2θ b1 b2⊕ bt33b rx1ω 700ω 500ω ― ― rx10ω 1kω 900ω 10kω 10kω rx1kω 13kω 8.7kω 8.2kω 8.2kω rx10kω 10kω 8kω 8kω 8kω 所以要能找到截止和導通兩種狀態(tài),才能表示管子是好的。圖l—129所示是分壓比的測量方法。 測量時,先用1.5v外加電源接通兩基極(一定要先接通兩基極電

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