BR601
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC
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HY
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC [EIC discrete Semiconductors]
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GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
HY
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GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
HY [HY ELECTRONIC CORP.]
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%; ★充電過(guò)程分為激,快充和浮充; ★具有溫度檢測(cè)功能,可根據(jù)電池和環(huán)境溫度改變充電策略; ★具有友好的人機(jī)界面,可對(duì)充電策略進(jìn)行調(diào)整; ★散熱方式:風(fēng)冷。 主電路的整體框圖: emi濾波電路: c1和l1組成第一級(jí)emi濾波 c2、c3、c4與l2組成第二級(jí)濾波。 l1,l2為共模電感 整流及功率因數(shù)校正電路: 整流橋: 流經(jīng)二級(jí)管電流id=3.55a 二極管反向電壓v=373v 考慮實(shí)際工作情況故選br601(35a/1000v); 功率因數(shù)校正: 方案:boost型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有輸出電阻低,硬件電路及控制簡(jiǎn)單,技術(shù)成熟,故選用boost結(jié)構(gòu); 芯片選擇:ti公司的ucc28019可控制功率輸出為100w-2kw,功率因數(shù)可提高到0.95,符合設(shè)計(jì)要求,故此次設(shè)計(jì)選用該款芯片; 電路圖 dc-dc主拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): 方案選擇: 在開(kāi)關(guān)管承受峰值電流和電壓的情況下,全橋輸出功率為半橋的兩倍,并切在功率大于500w時(shí),全橋相對(duì)于半橋更合適,故本次設(shè)計(jì)采用全橋拓?fù)洹?/p>