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當(dāng)前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>bfu725f 更新時間:2026-03-04 00:54:52

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bfu725f中文資料

  • 恩智浦半導(dǎo)體推出微波NPN晶體管BFU725F

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)發(fā)布了bfu725f微波npn晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。bfu725f具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種rf應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設(shè)備(例如gps系統(tǒng)、dect電話、衛(wèi)星無線電設(shè)備、wlan/cdma應(yīng)用)中靈敏的rf接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10 ghz到30 ghz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。 為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,bfu725f晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(sigec)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片ic和寬帶晶體管。 除已經(jīng)上市的解決方案外,包括tff1004hn(用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成ic)和bfu725f微波晶體管,恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和mmic(單片微波ic),預(yù)計將于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs標(biāo)準(zhǔn),可達(dá)到極低的噪音(1.8 ghz時0.43 db / 5.

  • 微波NPN晶體管BFU725F(NXP)

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)發(fā)布了bfu725f微波npn晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。bfu725f具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種rf應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設(shè)備(例如gps系統(tǒng)、dect電話、衛(wèi)星無線電設(shè)備、wlan/cdma應(yīng)用)中靈敏的rf接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10 ghz到30 ghz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。 為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,bfu725f晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(sigec)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片ic和寬帶晶體管。 除已經(jīng)上市的解決方案外,包括tff1004hn(用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成ic)和bfu725f微波晶體管,恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和mmic(單片微波ic),預(yù)計將于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs標(biāo)準(zhǔn),可達(dá)到極低的噪音(1.8 ghz時0.43 db / 5.8 ghz時

  • NXP新款BFU725F微波NPN晶體管采用SiGeC工藝

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)日前發(fā)布了bfu725f微波npn晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。bfu725f具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種rf應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設(shè)備(例如gps系統(tǒng)、dect電話、衛(wèi)星無線電設(shè)備、wlan/cdma應(yīng)用)中靈敏的rf接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10 ghz到30 ghz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。 為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,bfu725f晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(sigec)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片ic和寬帶晶體管。 calamp公司工程衛(wèi)星產(chǎn)品總監(jiān)bruce bruchan先生表示,“我們選擇了恩智浦的sigec bicmos技術(shù),因?yàn)樽罱K結(jié)果表明極具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益,又具備優(yōu)良的動態(tài)范圍。恩智浦不斷開發(fā)利用sigec bicmos技術(shù)制造的產(chǎn)品,并通過持續(xù)創(chuàng)新應(yīng)對快速變化的微波和無線市場日益增

  • 品佳集團(tuán)推廣NXP高效能超低噪聲微波晶體管

    品佳集團(tuán)近期積極推廣nxp高效能超低噪聲的微波晶體管,高頻應(yīng)用(20ghz以下)的npn微波晶體管bfu725f 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。 藉由其超低的噪聲系數(shù),非常適用于敏感度高的 rf module 及 high performance mobile phones;此外,其高切換頻率的特色可用作 10ghz ~ 30ghz 之微波應(yīng)用如衛(wèi)星電視接收器及汽車防撞雷達(dá)的解決方案。 bfu725f 采用了創(chuàng)新的硅鍺碳 (sige:c) bicmos制程–qubic4x,這是專門為符合現(xiàn)實(shí)生活中的高頻應(yīng)用要求所設(shè)計的,可提供優(yōu)越的高功率增益及動態(tài)范圍組合性能,這個晶體管可謂將砷化鎵 (gaas) 的性能及硅鍺碳的可靠性結(jié)為一體,但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負(fù)偏置電壓 (negative biasing voltages)的設(shè)計,所以在產(chǎn)品應(yīng)用上更能為客戶帶來成本效益,此產(chǎn)品目前巳有樣品可提供申請,預(yù)計于2007年第三季可量產(chǎn)供貨。 key features very low noice of

  • NXP高效能超低噪聲的微波晶體管BFU725F

    nxp推出高效能超低噪聲的微波晶體管,高頻應(yīng)用(20ghz以下)的npn微波晶體管bfu725f 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。藉由其超低的噪聲系數(shù),非常適用于敏感度高的 rf module 及 high performance mobile phones;此外,其高切換頻率的特色可用作 10ghz~30ghz 之微波應(yīng)用如衛(wèi)星電視接收器及汽車防撞雷達(dá)的解決方案。 500){this.width=500}" border=0> bfu725f 采用了創(chuàng)新的硅鍺碳 (sige:c) bicmos制程-qubic4x,這是專門為符合現(xiàn)實(shí)生活中的高頻應(yīng)用要求所設(shè)計的,可提供優(yōu)越的高功率增益及動態(tài)范圍組合性能,這個晶體管可謂將砷化鎵 (gaas) 的性能及硅鍺碳的可靠性結(jié)為一體,但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負(fù)偏置電壓 (negative biasing voltages)的設(shè)計,所以在產(chǎn)品應(yīng)用上更能為客戶帶來成本效益。 key features very low noice of 0.69db at 6ghz high maxi

  • NXP新款BFU725F微波NPN晶體管采用SiGeC工藝

    恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)日前發(fā)布了BFU725F微波NPN晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。BFU725F具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種RF應(yīng)用的理想解決方案。超...

  • 微波NPN晶體管BFU725F(NXP)

      恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)發(fā)布了BFU725F微波NPN晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。BFU725F具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種RF應(yīng)用的理想...

  • NXP高效能超低噪聲的微波晶體管BFU725F

        NXP推出高效能超低噪聲的微波晶體管,高頻應(yīng)用(20GHz以下)的NPN微波晶體管BFU725F 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。藉由其超低的噪聲系數(shù),非常適用于敏感度高的 RF module 及 ...

  • 恩智浦半導(dǎo)體推出微波NPN晶體管BFU725F

     

      恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)發(fā)布了BFU725F微波NPN晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。BFU725F具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重...

  • NXP新款BFU725F微波NPN晶體管采用SiGeC工藝

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)日前發(fā)布了bfu725f微波npn晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。bfu725f具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種rf應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設(shè)備(例如gps系統(tǒng)、dect電話、衛(wèi)星無線電設(shè)備、wlan/cdma應(yīng)用)中靈敏的rf接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10 ghz到30 ghz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。 為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,bfu725f晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(sigec)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片ic和寬帶晶體管。 calamp公司工程衛(wèi)星產(chǎn)品總監(jiān)bruce bruchan先生表示,“我們選擇了恩智浦的sigec bicmos技術(shù),因?yàn)樽罱K結(jié)果表明極具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益,又具備優(yōu)良的動態(tài)范圍。恩智浦不斷開發(fā)利用sigec bicmos技術(shù)制造的產(chǎn)品,并通過持續(xù)創(chuàng)新應(yīng)對快速變化的微波和無線市場日益增

  • 恩智浦半導(dǎo)體推出微波NPN晶體管BFU725F

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)發(fā)布了bfu725f微波npn晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。bfu725f具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種rf應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設(shè)備(例如gps系統(tǒng)、dect電話、衛(wèi)星無線電設(shè)備、wlan/cdma應(yīng)用)中靈敏的rf接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10 ghz到30 ghz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。 為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,bfu725f晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(sigec)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片ic和寬帶晶體管。 除已經(jīng)上市的解決方案外,包括tff1004hn(用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成ic)和bfu725f微波晶體管,恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和mmic(單片微波ic),預(yù)計將于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs標(biāo)準(zhǔn),可達(dá)到極低的噪音(1.8 ghz時0.43 db / 5.8 gh

  • 微波NPN晶體管BFU725F(NXP)

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  • 恩智浦順應(yīng)當(dāng)今移動趨勢推出全新硅基解決方案

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今天發(fā)布了bfu725f微波npn晶體管,這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。bfu725f具有高開關(guān)頻率、高增益和超低噪音等多重特點(diǎn),使其成為各種rf應(yīng)用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設(shè)備(例如gps系統(tǒng)、dect電話、衛(wèi)星無線電設(shè)備、wlan/cdma應(yīng)用)中靈敏的rf接收器的接收效果,而超高斷開頻率則可以很好地滿足運(yùn)行頻率在10 ghz到30 ghz以內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪音電路塊)的需求。 為解決當(dāng)今設(shè)備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題,bfu725f晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(sigec)工藝技術(shù),該工藝還用于開發(fā)單片ic和寬帶晶體管。 calamp公司工程衛(wèi)星產(chǎn)品總監(jiān)bruce bruchan先生表示,“我們選擇了恩智浦的sigec bicmos技術(shù),因?yàn)樽罱K結(jié)果表明極具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益,又具備優(yōu)良的動態(tài)范圍。恩智浦不斷開發(fā)利用sigec bicmos技術(shù)制造的產(chǎn)品,并通過持續(xù)創(chuàng)新應(yīng)對快速變化的微波和無線市場日益增長

  • 品佳積極推廣NXP高頻低噪聲晶體管BFU725F

    品佳集團(tuán)(sac)近期積極推廣nxp高效能、低噪聲微波晶體管bfu725f,該款高頻應(yīng)用(20ghz以下)的npn微波晶體管可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。 藉由其超低的噪聲系數(shù),bfu725f適用于敏感度高的rf module及high performance mobile phones;此外,其高切換頻率的特色可用作10ghz~30ghz之微波應(yīng)用如衛(wèi)星電視接收器及汽車防撞雷達(dá)的解決方案。 品佳表示,bfu725f采用了創(chuàng)新的硅鍺碳(sige:c) bicmos制程──qubic4x,這是專門為符合現(xiàn)實(shí)生活中的高頻應(yīng)用要求所設(shè)計的,可提供優(yōu)越的高功率增益及動態(tài)范圍組合性能,這個晶體管可謂將砷化鎵(gaas)的性能及硅鍺碳的可靠性結(jié)為一體,但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負(fù)偏置電壓(negative biasing voltages)的設(shè)計,所以在產(chǎn)品應(yīng)用上更能為客戶帶來成本效益。 該產(chǎn)品目前巳有樣品可提供申請,預(yù)計于2007年第三季可量產(chǎn)供貨。

bfu725f替代型號

BFW10 BFW16 BFW16A BFX89 BFY50 BFY52 BFY90 BG301 BG305 BG315

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