帶有此標記的料號：
1. 表示供應商具有較高市場知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經(jīng)維庫認證中心嚴格審查。
2. 供應商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴重不足(實際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎勵您500元。
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TSOP32/2222+
原裝現(xiàn)貨支持實單
SST39VF040-70-4C-NHE
2865
PLCC/1608+
特價特價全新原裝現(xiàn)貨
SST39VF040-70-4C-WHE
12000
32 TSOP/23+
全新原裝
SST39VF040-70-4I-NHE-T
15000
-/24+25+
全新原裝現(xiàn)貨庫存受權(quán)代理可送樣可提供技術支持
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500
-/11+
全新原裝
SST39VF040-70-4C-WHE
618
TSOP32/17+
四雄微原裝價優(yōu)實在
SST39VF040-70-4I-WHE
955
TSOP32/21+
原裝現(xiàn)貨
SST39VF040-70-4C-NHE-T
240
PLCC/2112
原裝老板王磊
SST39VF040-70-4C-NHE
52
PLCC/09+PB
原裝現(xiàn)貨，假一賠十
SST39VF040-70-4C-NHE
10000
PLCC/20+
原裝現(xiàn)貨 詢價加Q
SST39VF040-70-4C-NH
5
PLCC36/00+
原裝現(xiàn)貨 力挺實單
SST39VF040-70-4C-WH
2500
TSSOP/22+
全新原裝現(xiàn)貨，假一賠十
SST39VF040-70-4I-NHE
51300
PLCC32/24+
原裝現(xiàn)貨，可提供訂貨服務
SST39VF040-70-4I-NHE
530
PLCC32/2001+
現(xiàn)貨全新只做原裝
SST39VF040-90-4C-NH
109
PLCC32/20+
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)惠清貨
SST39VF040-70-4C-NHE
66800
PLCC32/20+
全新原裝現(xiàn)貨，一站式BOM配單
SST39VF040-70-4C-NHE
1328
PLCC32/20+
原裝現(xiàn)貨
SST39VF040-45-4I-NHE
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SST39VF040-70-4C-NHE-RVL
6000
06K0/22+
原裝現(xiàn)貨實單可談
SST39VF040-90-4I-NH
34
PLCC32/21+
現(xiàn)貨庫存快速報價/質(zhì)量保證，量大可供
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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit ...
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摘要：引導裝載是dsp系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。文章對ti公司tms320c6711中flash引導裝載的概念、方法及特點做了詳細闡述，同時以sst公司的flash器（sst39vf040）為例，設計了一個利用flash進行引導裝載的系統(tǒng)方案，并給出相應的自加載程序源代碼。 關鍵詞：數(shù)字信號處理器 flash存儲器 引導裝載 tms320c67111 概述在一些脫機運行的dsp系統(tǒng)中，用戶代碼需要在加電后自動裝載運行。dsp系統(tǒng)的引導裝載（bootload）是指在系統(tǒng)加電時，由dsp將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到高速存儲器單元中去執(zhí)行。這樣既可利用外部存儲單元來擴展dsp本身有限的rom資源，又能充分發(fā)揮dsp內(nèi)部資源的效能。因此，在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和dsp的性能顯得尤為重要。flash是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)eprom要低，十分適合用于低功耗、小尺寸和高性能的便攜式系統(tǒng)。本文介紹了ti公司tms320c6711浮點dsp芯片和sst公司sst39vf040 flash存儲器的基本特點，同時給出了一
器相連，以進行系統(tǒng)調(diào)試和程序下載。 1.5 外部存儲器設計 c6711訪問外部存儲器必須通過emif。emif不僅有很高的數(shù)據(jù)吞吐率，而且還有很強的接口能力，可以與目前所有類型的存儲器直接接口。設計采用三種類型的存儲器：flash rom、雙口ram和同步動態(tài)存儲器sdram。flash rom 是現(xiàn)場可擦除、掉電后可保持數(shù)據(jù)的存儲器，用來固化程序和保存掉電后需要保存的數(shù)據(jù)；雙口ram用來存儲一幀圖像數(shù)據(jù)；sdram運行速度快，用來存放實時運行程序和臨時數(shù)據(jù)。本系統(tǒng)flash rom采用sst39vf040，且配置在ce1空間。雙口ram采用idt70v28，且配置在ce2空間。選用hy57v653220作為sdram，配置在ce0空間，這樣的配置與引導方式相配合。 1.6 輸出電路 系統(tǒng)根據(jù)輸入的圖像，由c6711進行處理后得出一個衛(wèi)星姿態(tài)角信息。該姿態(tài)角信息由c6711輸出到pc機的rs-232口，由于通信的信息量少，所以可以利用c6711的多通道緩沖串口mcbsp，在不擴展其他硬件的情況下，用軟件實現(xiàn)異步數(shù)據(jù)傳輸格式。發(fā)送時，發(fā)送轉(zhuǎn)換子程序把每一個數(shù)據(jù)位擴展成16位的uart字，并把
硬件技術背景 單片機的頻率越來越高，ram的訪問速度也來也快，但單片機系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。 目前，使用的主流單片機有80386ex(50mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(訪問速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可見，sdram，sram的速度和單片機是匹配的，甚至比單片機的速度更快一點，不需要單片機插入等待狀態(tài)。而flash的訪問頻率則比單片機慢2~6倍，單片機往往要通過插入多個等待狀態(tài)來和它相匹配，況且flash多為8位，而當前單片機多為16，32位，更多的降低了單片機的工作性能。 根據(jù)上述分析，如果提高flash的訪問速度，擴展flash為16位或32位，那么程序執(zhí)行的速度就快了，單片機的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想法變成事實，而且成本低
可以控制8個存儲體或外圍設備，支持gpcm （general purpose chip select machine）和upm（user programmable machines）兩種方式，可提供與sram，eprom，flash，dram，sdram等設備的無縫連接。gpcm提供與eprom，sram，flash以及其他的外設的無縫連接，upm則常常用于sdram以及猝發(fā)式sram的控制與連接。flash存儲器是一種電可擦除、可重寫的存儲設備。bootrom flash采用512kbyte的sst39vf040。bootrom主要作用是引導及初始化cpu，以及引導單板程序。bsp在嵌入式系統(tǒng)和windows系統(tǒng)中的不同其實運行與pc機上的windows或linux系統(tǒng)也是有bsp的。只是pc機均采用統(tǒng)一的x86體系架構(gòu)，這樣一定操作系統(tǒng)的bsp相對x86架構(gòu)是單一確定的，不需要做任何修改就可以很容易支持os在x86上正常運行，所以在pc機上談論bsp這個概念也沒什么意義了。而對嵌入式系統(tǒng)來說情況則完全不同，目前市場上多種結(jié)構(gòu)的嵌入式cpu（risc）并存（ppc,arm,mips…），為了性能的需要，
示，sram的最高位地址線a14由單片機的p3.2單獨控制，以便于將紅色和綠色led點陣的數(shù)據(jù)分塊存放，當p3.2輸出為0時，選中ram地址0x0000～0x3fff,為紅色led的數(shù)據(jù)區(qū)；當p3.2輸出為1時，選中ram地址0x4000～0x7fff,為綠色led的數(shù)據(jù)區(qū)。 flash用于存儲代碼，顯示的數(shù)據(jù)信息和字庫。可采用查表的方式調(diào)用需要顯示的漢字和英文點陣數(shù)據(jù)。用64k字節(jié)的存儲空間存儲16×16點陣的漢字，可以顯示2048個，512k的flash可滿足常用字不同字體的存儲需求。sst39vf040的地址線有19位，單片機用p1口來擴充高三位地址線。 系統(tǒng)中單片機，sram,flash要求313v供電，而系統(tǒng)接入電源為5v,可通過lm1117-3.3為芯片提供3.3v穩(wěn)壓電源。 低壓差電源芯片lm1117輸出電流可達800ma,輸出電壓精度在±1%以內(nèi)，還具有電流限制和熱保護功能。 1.2 串行接口電路 控制器接收數(shù)據(jù)采用單片機內(nèi)部全雙工的通用異步收發(fā)器（uart）。在傳輸距離小于20m時采用非平衡的rs-232,在傳輸距離為幾十m到上km時采用rs-485。r
組織結(jié)構(gòu)為512K×8；讀、寫操作電壓2.7～3.6V；高可靠性，保證100000次讀/寫，數(shù)據(jù)保持100年；低功耗操作，動態(tài)電流：5mA(典型值)，待機電流：1μA(典型值)；扇墾擦除操作功能：均勻的4KB扇區(qū)；快速讀取時間：70ns；鎖存地址和數(shù)據(jù)；快速擦除操作和字節(jié)編程時間，扇區(qū)擦除操作時間：18ms(典型值)，芯片擦除操作時間：70ms(典型值)；字節(jié)編程時間：14μs(典型值)，芯片重寫時間：8s；自動調(diào)節(jié)寫操作時間；寫操作完成監(jiān)測：Toggle位，Data＃輪詢；兼容CMOS I/O；符合JEDEC標準；所有無鉛裝置遵從RoHS標準
cpu(時鐘為50mhz)讀bios sst39vf040 (512k x 8bit)的時序問題cpu(時鐘為50mhz)讀bios sst39vf040 (512k x 8bit)的時序問題時序圖說明1.ams表示最高位地址線,這里為a18.datasheet中要求讀bios時,ce和oe腳都變?yōu)榈碗娖?如圖中時序圖所示.我理解如下,請各位指點.非常感謝!1.cpu(時鐘為50mhz)送地址0x00010到bios的地址寄存器.2.cpu將ce拉低3.cpu將oe拉底,并延遲70ns.因為datasheet上說tce (chip enable access time)的時間為70nstoe (output enable access time)的時間為35ns問題1: 這里我不確定應該延遲多少ns?就采用最大的延遲70ns.4.數(shù)據(jù)輸出有效,cpu從bios寄存器中讀出數(shù)據(jù).5.將地址值加1,即送地址0x00011到bios的地址寄存器6.因為taa (address access time)需要70ns,而toh (output hold from address change)時間需要0ns(da
問題的提出1.1 硬件技術背景 單片機的頻率越來越高，ram的訪問速度也來也快，但單片機系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。目前，使用的主流單片機有80386ex(50mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/數(shù)據(jù)總線8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(訪問速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等?？梢姡瑂dram，sram的速度和單片機是匹配的，甚至比單片機的速度更快一點，不需要單片機插入等待狀態(tài)。而flash的訪問頻率則比單片機慢2~6倍，單片機往往要通過插入多個等待狀態(tài)來和它相匹配，況且flash多為8位，而當前單片機多為16，32位，更多的降低了單片機的工作性能。 根據(jù)上述分析，如果提高flash的訪問速度，擴展flash為16位或32位，那么程序執(zhí)行的速度就快了，單片機的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想法變成事實，而且成本低廉的話，
關于 flash的一些問題請問1:boot code指的是?它的位置可以自己改嗎？ 2：sector address指的是sector的首地址嗎？ 3：top boot與bottom boot在使用上有什么不同嗎？ 4：sector都是4k的嗎？ 5：flash memory和它的控制器是在一起的嗎？我用的是sst39vf040型的。謝謝大家！
sst39vf040應該是8位的flash
96 bytes for 39vf080 */#define block_size 65536 /* must be 64k bytes for 39vf080 */#define sectorlen 256//128#define sst_id 0xbf /* sst manufacturer's id code */#define sst_29sf040 0x13 /* sst39vf040 device code */#define sst_39vf080 0xd8 /* sst39vf080 device code */xdata uchar u6add _at_ 0x6000 ;idata uchar u6data;xdata word sst_id2;xdata word sst_id1;idata uint iflashtmp1,iflashtmp2;xdata uchar cflashtm
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