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序號元器件名功能描述生產(chǎn)廠商資料下載
K9K2G08U0M-VCB0 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl... SAMSUNG K9K2G08U0M-VCB0PDF下載
K9K2G08U0M-VCB0 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl... SAMSUNG [Samsung semiconductor] K9K2G08U0M-VCB0PDF下載

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K9K2G08U0M-VCB0
電源電壓：Vcc＝2.7～3.6V；結(jié)構(gòu)：存儲(chǔ)器單元陣列：(256M十8192K)X8位﹐數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：(2K+64)X8位﹐緩存存儲(chǔ)器：(2K+64)X8位；自動(dòng)編程和擦除：頁編程：(2K+64)字節(jié)﹐塊擦除：(128K+4K)字節(jié)；頁讀操作：頁大?。?KB﹐隨機(jī)存取：25μs(最大值)﹐串行訪問：30ns(最小值)；快速寫周期時(shí)間：編程時(shí)間：200μs(典型值)﹐塊擦除時(shí)間：2ms(典型值)；指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口；硬件數(shù)據(jù)保護(hù)：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定；可靠的CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù)﹐100k次編程/擦除周期﹐10年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間；指令存儲(chǔ)器操作；上電自讀操作；封裝：48引腳的TSOP封裝；工作溫度：-10～＋125℃