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256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl...
SAMSUNG
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256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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歷史最低報(bào)價(jià):¥0.0000 歷史最高報(bào)價(jià):¥0.0000 歷史平均報(bào)價(jià):¥0.0000
電源電壓:Vcc=2.7~3.6V; 結(jié)構(gòu):存儲(chǔ)器單元陣列:(256M十8192K)X8位﹐數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:(2K+64)X8位﹐緩存存儲(chǔ)器:(2K+64)X8位; 自動(dòng)編程和擦除:頁編程:(2K+64)字節(jié)﹐塊擦除:(128K+4K)字節(jié); 頁讀操作:頁大?。?KB﹐隨機(jī)存取:25μs(最大值)﹐串行訪問:30ns(最小值); 快速寫周期時(shí)間:編程時(shí)間:200μs(典型值)﹐塊擦除時(shí)間:2ms(典型值); 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口;硬件數(shù)據(jù)保護(hù):在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定; 可靠的CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù)﹐100k次編程/擦除周期﹐10年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間;指令存儲(chǔ)器操作;上電自讀操作;封裝:48引腳的TSOP封裝; 工作溫度:-10~+125℃
K9K2G08U0M-VIB0 K9K2G08U0M-YIB0 K9K2G08UOM K9K2G16U0M K9K4G08 K9K4G08U0M K9K4G08UOM-YCB0 K9K8G08U0M K9K8G08UOM K9LBG08U0M
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