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TN2510N8-G

更新時間:2025-05-19 16:10:33

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TN2510N8-G 概述

TN2510N8-G是由臺灣半導體公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TOSHIBA的最新工藝技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏源電壓（Vds）為80V，適合于中等電壓范圍的應用場景。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電機驅動以及各種電源管理電路。在電機驅動中，它可以作為H橋或半橋電路的關鍵組件，確保高效的能量傳輸與控制。對于電源管理設計，它有助于提升整體系統(tǒng)效率并減少熱損耗。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，同時確保散熱設計充分，避免因過熱導致性能下降或損壞。

TN2510N8-G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Supertex
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
0.73 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
1.5 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-89 (TO-243AA)
封裝
Reel
下降時間
10 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.6 W
上升時間
10 ns
工廠包裝數(shù)量
2000
典型關閉延遲時間
20 ns

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TN2524N8
TN2524N8-G
THC63LVDF84B

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