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SUD23N06-31-GE3

更新時間:2025-07-12 07:15:50

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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SUD23N06-31-GE3 概述

SUD23N06-31-GE3是由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為60V，適用于多種電力電子應用中，如電源管理、電機驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。在電源管理系統(tǒng)中，它能夠高效地控制電能傳輸，減少能量損耗；對于電機驅(qū)動電路，可以實現(xiàn)精準的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)與高效能轉(zhuǎn)換。設(shè)計時應注意其散熱設(shè)計以確保穩(wěn)定工作，推薦使用適當?shù)纳崞骰蛏崞?，并且在PCB布局上盡量縮短源極與漏極之間的走線長度以降低寄生電感的影響。

SUD23N06-31-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
21.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
670pF @ 25V
功率 - 最大
31.25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設(shè)備封裝
TO-252，（D-Pak）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SUD23N06-31-GE3TR

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

SUD23N06-31-GE3相關(guān)型號

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SUD23N06-31-GE3
SUD20N10-66L
SUD23N06-31
SUD23N06-31L
SUD25N04-25-E3
SUD25N06
SUD25N06-45
SS8050

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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