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STW9NB90

更新時間:2025-07-21 04:53:42

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STW9NB90 概述

STW9NB90是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的SuperMESH技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓Vds為900V，連續(xù)漏極電流Id在25℃下可達10A。這款MOSFET特別適合用于高壓開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制設(shè)備等需要高效率和可靠性的場合。其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計使得它非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用，有助于減少開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在實際應(yīng)用中，建議合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并注意PCB布局以確保良好的熱管理和電磁兼容性。對于高可靠性要求的應(yīng)用，應(yīng)考慮添加適當?shù)谋Ｗo電路如過壓和過流保護，以防止極端條件下對器件造成損壞。

STW9NB90 規(guī)格參數(shù)

制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
900 V
閘/源擊穿電壓
+/- 30 V
漏極連續(xù)電流
9.7 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
1 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube
下降時間
26 ns
最小工作溫度
- 65 C
功率耗散
190 W
上升時間
13 ns
工廠包裝數(shù)量
30

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