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STW50N10

更新時間:2025-07-05 13:29:00

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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STW50N10 概述

STW50N10是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能應用設計，具有低導通電阻和高開關速度特性。其最大漏源電壓(Vds)可達100V，連續(xù)漏極電流(Id)在25°C時高達50A，適用于電源管理、電機控制以及DC-DC轉換等應用場景。由于其優(yōu)秀的熱性能與電氣性能，它也常用于同步整流電路中以提高效率并減少功耗。在實際使用時應注意散熱設計，并根據(jù)具體需求合理選擇柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關性能。

STW50N10 規(guī)格參數(shù)

制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
50 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.035 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247
下降時間
35 ns
最小工作溫度
- 65 C
功率耗散
180 W
上升時間
75 ns
工廠包裝數(shù)量
30

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