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STW28NM50N

更新時間:2025-05-15 23:35:48

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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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STW28NM50N外觀圖

STW28NM50N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 21A TO-247

封裝:TO-247-3

STW28NM50N 概述

STW28NM50N是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高壓應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓為500V，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有助于提高系統(tǒng)效率并減少功率損耗。其典型應(yīng)用包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器以及工業(yè)控制設(shè)備中的高頻電路。在實際應(yīng)用中，建議使用適當?shù)臇艠O電阻來控制開關(guān)速度，避免過高的dv/dt導(dǎo)致的誤觸發(fā)。設(shè)計時需確保良好的散熱措施，以維持器件在安全工作區(qū)內(nèi)運行。對于高可靠性要求的應(yīng)用場景，可以考慮并聯(lián)多個MOSFET以分擔負載電流，同時要注意布局布線以減小寄生電感影響。

STW28NM50N 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STW28NM50N View All Specifications
標準包裝
600
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
21A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
158 毫歐 @ 10.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1735pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-10718-5

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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