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STW18N65M5

更新時間:2025-06-12 07:41:16

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STW18N65M5 概述

STW18N65M5是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用MDmesh M5技術(shù)，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。其最大漏源電壓Vds為650V，連續(xù)漏極電流Id為18A，在高溫下仍能保持穩(wěn)定的電氣特性。這種MOSFET適合于高頻應用場合，如開關電源、太陽能逆變器以及不間斷電源(UPS)等。在具體應用中，設計者應確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動電壓（通常為10-15V），以保證器件處于完全導通狀態(tài)，并且要合理布局PCB以減小寄生電感對開關性能的影響。此外，為了防止過熱損壞，需考慮適當?shù)纳岽胧┤缂友b散熱片或使用冷卻風扇。對于高可靠性要求的應用場景，還應該加入保護電路來防止過壓、過流等情況發(fā)生。

STW18N65M5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? V
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
220 毫歐 @ 7.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1240 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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