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STU9N65M2

更新時間:2025-06-26 22:07:22

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STU9N65M2 概述

STU9N65M2是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低柵極電荷和低反向恢復時間，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓(VDS)可達650V，連續(xù)漏極電流(ID)為9A，適用于高效率電源轉換器設計。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、電機驅動器以及各種工業(yè)和消費類電源設備。其低導通電阻(RDS(on))有助于減少功耗并提高系統(tǒng)整體效率，在需要高壓開關的應用中表現(xiàn)出色。封裝形式為TO-220，便于散熱和安裝。在實際使用中需注意適當?shù)臇艠O驅動設計以避免過沖損壞柵極，并確保良好的散熱條件以維持穩(wěn)定運行。

STU9N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
889現(xiàn)貨
系列
MDmesh?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
900 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-251（IPAK）
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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