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STS19N3LLH6

更新時間:2025-05-25 06:44:57

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STS19N3LLH6外觀圖

STS19N3LLH6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

STS19N3LLH6 概述

STS19N3LLH6是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款功率MOSFET。該器件采用先進的硅技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏極-源極電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達19A，非常適合用于DC-DC轉換器、負載開關以及電池管理系統(tǒng)中。在實際應用中，此MOSFET通常被用于同步整流電路，以提高電源轉換效率。設計時需注意其最大柵極驅動電壓不超過20V，并確保散熱良好。對于PCB布局，建議盡量縮短源極與柵極之間的走線距離，減少寄生電感的影響。在驅動電路設計上，推薦使用推挽式或專用MOSFET驅動芯片以實現(xiàn)快速開關切換，提升整體性能。

STS19N3LLH6 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STS19N3LLH6 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.6 毫歐 @ 9.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 15V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1690pF @ 25V
功率 - 最大
2.7W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12677-6

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廣東微爾科技有限公司

STS19N3LLH6相關型號

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STS19N3LLH6
STS100
STS104B
STS10DN3LH5
STS10N3LH5
STS10NC45
STS10NF30L
SR240

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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